硅锗晶体中的杂质和缺陷ppt课件

1、主要内容,杂质分类,施主杂质,受主杂质,施主能级,受主能级,浅能级杂质,类氢模型估算浅能级杂质电离能,估算浅能级杂质的弱束缚载流子基态轨道半径,杂质的补偿,深能级杂质,等电子陷阱,等电子杂质,杂质的双性行为,点缺陷的种类,反结构缺陷,位错和。

2、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过程中加入一定量的杂质,并控制它们在晶体中的分布来解决,本章结合硅,锗单晶生长的实际,介绍掺杂技术,然后介绍硅,锗单晶中缺陷的问题,理想半导体,1,原子严格周期。

3、材料物理,第四章材料的电学,张小伟,西南科技大学材料科学与工程学院,材料物理,人生一世,会遇到无数的事件,会有无数的决定需要作出,成功的人总是在重要关头把命运掌握在自已的手中作决定,而那些犹柔寡断没有胆量抉择的人,往往都是失败者,选自改变一。

4、材料科学基础,第五章结构缺陷及固溶体,缺陷的含义,通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为结构缺陷,理想晶体,质点严格按照空间点阵排列,固体在热力学上最稳定的状态是处于0K温度时的完整晶体状态,其内部能量最低,原子或离子按理想的晶格点阵排列。

5、1,第二章晶体结构缺陷,主讲,管登高博士后副教授硕导,2,2,0总述2,1点缺陷2,2线缺陷2,3面缺陷与体缺陷2,4固溶体,第二章晶体结构缺陷,3,2,0总述,1,缺陷产生的原因热震动杂质2,缺陷定义实际晶体与理想晶体相比有一定程度的偏离。

6、半导体物理学SEMICONDUCTORPHYSICS,第一章,半导体中的电子状态,半导体发展历程,半导体发展历程,半导体发展历程,半导体发展历程,半导体发展历程,半导体发展历程,半导体发展历程,半导体发展历程,本课程的内容安排以元素半导体硅。

7、第一章晶体结构缺陷,内容提要,回顾与展望第一节晶体结构缺陷的类型第二节缺陷化学反应表示法第三节热缺陷浓度计算第四节非化学计量化合物第五节位错第六节面缺陷,回顾与展望,上学期所讲,晶体结构在三维空间遵循严格的周期性,但仅在绝对零度才可能出现。

8、第五章固体中的点缺陷,5,1缺陷的分类5,2缺陷的表示符号5,3本征缺陷5,4杂质缺陷5,5电子和空穴5,6点缺陷的局域能级5,7缺陷的缔合,理想的完善晶体,由等同的原子或原子集团,按照一定的点阵结构,在三维方向构成一个规整的,周期性的原子。

9、晶体缺陷,crystaldisfigurement,晶体中某些区域粒子的排列不象理想晶体那样规则和完整,这种偏离完整性的区域,或者说晶体中一切偏离理想的晶格结构称做晶体缺陷,晶体缺陷,晶体缺陷的存在,破坏了完美晶体的有序性,引起晶体内能U和。

10、第四章第一讲,本章共4讲,固体物理学,掌握缺陷的基本类型,性质,缺陷的统计理论,扩散和缺陷在外场中的迁移,第四章晶体结构中的缺陷,教学目标和要求,缺陷的分类方法点缺陷点缺陷的形成原因点缺陷的类型点缺陷的运动点缺陷的热平衡统计,第四章晶体结构。

11、晶体结构分类,金属晶体离子晶体原子晶体分子晶体混合型晶体,金属材料无机非金属材料高分子材料复合材料,晶体缺陷,晶体结构完整地有规则排列只是理想情况,由于原子的热振动以及晶体的形成过程,加工过程及使用过程受到种种条件的影响,在实际的晶体结构中。

12、第4章 硅锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅锗器件的制做不仅要求硅锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。 单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶生长过程。

13、直拉单晶硅中的杂质,主讲,张培明,杂质分凝由两种或两种以上元素构成的固溶体,在高温熔化后,随着温度的降低将重新结晶,形成固溶体,杂质在固体和熔体中的浓度是不同的,在结晶的过程中会发生偏析,称为分凝现象,实际晶体生长时,不可能达到平衡状态,也。

14、1,第四章晶体中的点缺陷与线缺陷4,1热力学平衡态点缺陷一,点缺陷的类型二,热缺陷浓度计算4,2非热力学平衡态点缺陷4,3点缺陷符号与化学方程式一,点缺陷的符号,三,二,缺陷反应方程式,四,缺陷化学反应表示法,五,点缺陷的化学平衡4,5掺杂。

15、第五章 固体中的点缺陷,51 缺陷的分类52 缺陷的表示符号53 本征缺陷54 杂质缺陷55 电子和空穴56 点缺陷的局域能级57 缺陷的缔合,1,精选PPT,第五章 固体中的点缺陷51 缺陷的分类1精选PPT,理想的完善晶体：由等同的原子。

16、第四章晶体缺陷,本章主要内容,1,教学内容,点缺陷,面缺陷,体缺陷的产生及扩散,2,基本要求,掌握点缺陷,位错,面缺陷与体缺陷,缺陷的扩散等,第四章晶体缺陷,完美晶体组成晶体的所有原子或离子都排列在晶格中,没有晶格空位,也没有间隙原子或离子。

17、1,第四章晶体中的点缺陷与线缺陷4,1热力学平衡态点缺陷一,点缺陷的类型二,热缺陷浓度计算4,2非热力学平衡态点缺陷4,3点缺陷符号与化学方程式一,点缺陷的符号,三,二,缺陷反应方程式,四,缺陷化学反应表示法,五,点缺陷的化学平衡4,5掺杂。

18、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响,半导体硅,锗器件的制做不仅要求硅,锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过。

19、第4章 硅锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅锗器件的制做不仅要求硅锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。 单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶生长过程。

20、第四章晶体缺陷,本章主要内容,1,教学内容,点缺陷,面缺陷,体缺陷的产生及扩散,2,基本要求,掌握点缺陷,位错,面缺陷与体缺陷,缺陷的扩散等,第四章晶体缺陷,完美晶体组成晶体的所有原子或离子都排列在晶格中,没有晶格空位,也没有间隙原子或离子。