用硅单晶

1、半导体材料,徐桂英材料学院无机非金属材料系,第5章,半导体材料的制备,第5章,半导体材料的制备,为了满足第四章所提出的要求,以保证半导体器件的需要,发展了一系列的半导体材料制备工艺,其中大部分已在工业规模范围内得到实现,这些工艺大体可分为提。

2、1,第二章单晶生长技术,2,由原子,分子或离子等微粒在空间按一定规律,周期性重复排列所构成的长程有序的固体物质,非晶态结构示意图,晶态结构示意图,2,0晶体知识回顾,1,晶体定义,3,2,晶体的特性,1,晶体的均匀性与各向异性,晶体的一些与。

3、介质的磁化,磁介质顺磁质和抗磁质的磁化,传导电流产生,与介质有关的电流产生,顺磁质,抗磁质,铁磁质,锰,铬,铂,氮,水银,铜,硫,氢,金,铁,镍,钴,铁氧体,相对磁导率,顺磁质试件向右摆动,顺磁质试件向右摆动,抗磁质磁化后试件的极性,近代科。

4、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响,半导体硅,锗器件的制做不仅要求硅,锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过。

5、第4章 硅锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅锗器件的制做不仅要求硅锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。 单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶生长过程。

6、1,第六章 塑性变形,2,第六章 塑性变形,Smith W F. Foundations of Materials Science and Engineering. McGRAW.HILL.3E,利用材料的塑性，我们可以对材料进行压力加工如。

7、单晶硅设备工艺流程,目录,1. 硅料的提炼2.单晶硅片工艺流程3. 单晶炉展示4. 产品展示5. 单晶炉种类6. 单晶炉结构7. 各个部件的作用8. 单晶工艺流程9. 晶升， 埚升介绍10.加热部分,硅的提炼：,硅，Si,地球上含硅的东西多。

8、第4章 硅锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅锗器件的制做不仅要求硅锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。 单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶生长过程。

9、第二章 元素半导体材料,本章介绍以锗硅为代表的元素半导体材料。因目前国内外，各种类型的半导体器件，如晶体管集成电路，大规模集成电路等多采用硅单晶制成。所以这里重点讨论硅单晶材料。至于化合物半导体材料将在后面讲述。,单晶硅棒材料见硅材料图1图。

10、直拉生长工艺,直拉法又称Cz法,目前,98,的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85,是用直拉硅单晶制作的,直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制电子器件过程申不容易形变,由于它的生长是把硅熔融在石英坩埚中,而逐渐拉制。

11、第一章,电子工程系陈曦,硅材料及衬底制备,刘玉岭等编,微电子化学技术基础,化学工业出版社,2005李乃平主编,微电子器件工艺,华中理工大学出版社,1995关旭东编著,硅集成电路工艺基础,北京大学出版社,2008张厥宗编著,硅单晶抛光片的加工。

12、单晶电子衍射花样的标定,单晶电子衍射花样的标定,PPT32页,单晶电子衍射花样的标定,PPT32页,目录,一,单晶电子衍射花样优缺点,特征及分类,二,单晶电子衍射花样主要标定方法,三,单晶电子衍射花样标定实例,单晶电子衍射花样的标定,PPT。

13、Preface,单晶,singlecrystal,晶体是经过结晶过程而形成的具有规则的几何外形的固体,晶体中原子或分子在空间按一定规律周期性重复的排列,所谓单晶,即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地,周期性地排列,或者说晶体的整体在三维方。

14、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过程中加入一定量的杂质,并控制它们在晶体中的分布来解决,本章结合硅,锗单晶生长的实际,介绍掺杂技术,然后介绍硅,锗单晶中缺陷的问题,理想半导体,1,原子严格周期。

15、单晶硅设备培训,1,硅料的提炼2,单晶硅片工艺流程3,单晶炉展示4,产品展示5,单晶炉种类6,单晶炉结构7,各个部件的作用8,单晶工艺流程9,晶升,埚升介绍10,加热部分,目录,硅的提炼,硅,Si,地球上含硅的东西多的很好像90,以上都是晶。

16、第二章单晶材料的制备,第一节单晶材料的发展与概述第二节固相固相平衡的晶体生长第三节从熔体中生长晶体,熔体法,第四节常温溶液法第五节高温溶液法第六节其它晶体生长方法,第一节单晶材料的发展与概述,单晶不仅是人们认识固体的基础,而且,对单晶的研究。

17、绿色可再生能源太阳能电池用硅单晶材料产业化工程二期项目消防设计专篇设计单位,信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司2011,9,1设计单位法定代表人,赵振元签字,技术总负责人,陈义桃签字,项目总负责人,陶世勇签字,建筑专业负责人。

18、绿色可再生能源太阳能电池用硅单晶材料产业化工程二期项目消防设计专篇设计单位,信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司2011,9,1设计单位法定代表人,赵振元签字,技术总负责人,陈义桃签字,项目总负责人,陶世勇签字,建筑专业负责人。

19、 项目编号：LJHP2015044GJB建设项目环境影响报告表项目名称：内蒙古中环光伏材料有限公司超薄高效太阳能电池用硅单晶切片扩能项目建设单位：内蒙古中环光伏材料有限公司评价单位：内蒙古绿洁环保有限公司编制日期：2015年7月13日中华人。