半导体器件物理

1、第八章发光二极管和半导体激光器,发现电流通过硅检波器时有黄光发生,在碳化硅检波器中观察到类似现象,首次在三,五族化合物中观察到辐射复合,观察到磷化镓结发光年砷化镓发光二极管和激光器研制成功年砷化镓,铝镓砷激光器实现室温连续,辐射复合与非辐射。

2、1,3,电流,电压特性理想情况,肖克莱方程,正偏,反偏,2,正向和反向偏置下的能带图,电势分布和载流子浓度分布,3,热平衡时,波耳兹曼关系,本征能级电势,费米能级电势,热平衡时,4,外加电压,结两侧的少数载流子密度变化,正向偏置,反向偏置。

3、第六章金属,氧化物,半导体场效应晶体管,电容,电容电压特性,基本工作原理,频率限制特性,技术,概念扩展,电容,能带图,耗尽层厚度,功函数差,平带电压,阈值电压,电荷分布,电容电容结构,氧化层厚度,氧化层介电常数,或高掺杂的多晶,型或型,实际。

4、第三章作业题,硅突变结二极管的掺杂浓度为,在室温下计算,内建电势差,零偏压时的耗尽区宽度,零偏压下的最大内建电场,推导结空间电荷区内建电势差公式,推导加偏压的结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式,推导杂质分布公式,长结二极管处于反偏压状态。

5、金,半非整流接触,欧姆接触,及二极管的特点和应用,1,金属,半导体接触,在制造半导体器件的过程中,除了有PN结之外,还会遇到金属和半导体相接触的情况,这种接触,指其间距离只有几个埃,有时会在半导体表面形成载流子的积累层,从而表现出低阻特性。

6、第二章PN结,热平衡PN结加偏压的PN结理想PN结的直流电流,电压特性空间电荷区的复合电流和产生电流隧道电流I,V特性的温度依赖关系耗尽层电容小信号交流分析电荷贮存和反向瞬变PN结击穿,引言,PN结是几乎所有半导体器件的基本单元,除金属半导。

7、第1章,半导体特性,1,1半导体的晶格结构1,2半导体的导电性1,3半导体中的电子状态和能带1,4半导体中的杂质与缺陷1,5载流子的运动1,6非平衡载流子1,7习题,半导体材料的晶格结构电子和空穴的概念半导体的电性能和导电机理载流子的漂移运。

8、图形曝光与光刻,现代半导体器件物理与工艺,图形曝光与刻蚀,图形曝光,是利用掩模版,上的几何图形,通过光化学反应,将图案转移到覆盖在半导体晶片上的感光薄膜层上,光致抗蚀剂,光刻胶,光阻,的一种工艺步骤,这些图案可用来定义集成电路中各种不同区域。

9、第四章集成电路制造工艺,芯片制造过程,图形转换,将设计在掩膜版,类似于照相底片,上的图形转移到衬底上,掺杂,根据设计的需要,将各种杂质掺杂在需要的位置上,形成晶体管,接触等,制膜,制作各种材料的薄膜,基本步骤,硅片准备,外延,氧化,掺杂,淀。

10、第三章双极结型晶体管,第三章双极结型晶体管,发展历史: 1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生Bell Lab.BardeenShockleyBrattain1949年提出PN结和双极结型晶体管理论Bell Lab.Shockley1。

11、第1章,半导体特性,1,1半导体的晶格结构1,2半导体的导电性1,3半导体中的电子状态和能带1,4半导体中的杂质与缺陷1,5载流子的运动1,6非平衡载流子1,7习题,半导体材料的晶格结构电子和空穴的概念半导体的电性能和导电机理载流子的漂移运。

12、第三章作业题,硅突变结二极管的掺杂浓度为,在室温下计算,内建电势差,零偏压时的耗尽区宽度,零偏压下的最大内建电场,推导结空间电荷区内建电势差公式,推导加偏压的结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式,推导杂质分布公式,长结二极管处于反偏压状态。

13、第章及相关器件,二极管,基本原理,按比例缩小,与双极型,绝缘层上,存储器结构,相关主题,二极管的与反型条件基本特性按比例缩小理论与短沟道效应的关系低功耗逻辑存储器结构,基本结构,二极管,二极管是器件的枢纽,在中,亦作为一储存电容器,器件的基。

14、第七章太阳电池和光电二极管,7,1半导体中的光吸收,7,1半导体中的光吸收,假设半导体被一光子能量大于禁带宽度的光源均匀照射,光子通量为,图7,1从紫外区到红外区的电磁波谱图,7,1半导体中的光吸收,当光子在半导体中传播时,在距表面,处单位。

15、第二章半导体接触,2,主要内容,pn结异质结金属,半导体接触半导体,氧化物接触,MIS,3,半导体器件的四种基础结构,在p型和n型半导体之间形成的,结,具有整流特性,广泛用于电子电路的整流,开关及其他工作中,若再加一层p型半导体,两个p,n。

16、HEMT,High Electron Mobility Transistor,高电子迁移率晶体管,小组成员,制作PPT,收集资料,1,t课件,介绍内容,2,t课件,一.HEMT简介,HEMT，高电子迁移率晶体管是一种异质结场效应晶体管，又称。

17、第二章 PN结,半导体器件物理,引言,PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。除金属半导体接触器件外，所有结型器件都由PN结构成。PN结本身也是一种器件整流器。PN结含有丰富的物理知识，掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物理的基础。。

18、半导体器件物理,主讲教师,陈占国电子邮件,办公电话,手机号码,办公地点,唐敖庆楼,课程简介,半导体器件物理与实验年月吉林大学校级精品课程年月吉林省省级精品课程年月教育部国家级精品课程半导体器件物理半导体器件物理与实验课程的理论课部分面向专业。

19、1,3,电流,电压特性理想情况,肖克莱方程,正偏,反偏,2,正向和反向偏置下的能带图,电势分布和载流子浓度分布,3,热平衡时,波耳兹曼关系,本征能级电势,费米能级电势,热平衡时,4,外加电压,结两侧的少数载流子密度变化,正向偏置,反向偏置。