大功率LED封装技术.ppt
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1、2.5 大功率LED封装技术,内容,一、引言二、L型电极的大功率LED芯片的封装三、V型电极的大功率LED芯片的封装四、V型电极的LED芯片倒装封装五、集成LED的封装六、大功率LED封装的注意事项七、大功率LED产品实例,一、引言,LED发展方向同LED芯片的发展方向:大功率高效率,大功率LED封装关键技术,一、引言,二、L型电极的大功率LED芯片的封装,共晶焊接概念,美国GREE公司的1W大功率芯片(L型电极),它的上下各有一个电极。其碳化硅(SiC)衬底的底层首先镀一层金属,如金锡合金(一般做芯片的厂家已镀好),然后在热沉上也同样镀一层金锡合金。将LED芯片底座上的金属和热沉上的金属熔合
2、在一起,共晶焊接。,二、L型电极的大功率LED芯片的封装,共晶焊接封装注意事项,力学:一定要注意当LED芯片与热沉一起加热时,二者接触要好,最好二者之间加有一定压力,而且二者接触面一定要受力均匀,两面平衡。材料学:控制好金和锡的比例,这样焊接效果才好。电学:热沉也成为一个电极,接热沉与散热片时要注意导热同时要绝缘。,二、L型电极的大功率LED芯片的封装,共晶点概念,加热温度也称为共晶点。温度的多少要根据金和锡的比例来定:AuSn(金80%,锡20%):共晶点为282,加热时间控制在几秒钟之内。AuSn(金10%,锡90%):共晶点为217,加热时间控制在几秒钟之内。AgSn(银3.5%,锡96
3、.5%):共晶点为232,加热时间控制在几秒钟之内。,二、L型电极的大功率LED芯片的封装,三、V型电极的大功率LED芯片的封装,V型电极的特点,电学:其中两个电极的p极和n极都在同一面,这种LED芯片的衬底通常是绝缘体(如Al2O3蓝宝石)光学:而且在绝缘体的底层外壳上一般镀有一层光反射层,可以使衬底的光反射回来,从而让光线从正面射出,以提高光效。,三、V型电极的大功率LED芯片的封装,V型电极LED封装注意事项,机械:这种封装应在绝缘体下表面用一种导热(绝缘)胶把LED芯片与热沉粘合。电学:上面把两个电极用金丝焊出。特别要注意大功率LED通过的电流大,1W LED的电流一般为350mA,所
4、以要用粗金丝。不过有时粗金丝不适用于焊线机,也可以并联焊两根金丝,这样使每根金丝通过的电流减少。,三、V型电极的大功率LED芯片的封装,V型电极LED封装注意事项,热学:这种芯片的烘干温度是100150,时间一般是6090分钟。光学:发热量比较大,可以在LED芯片上盖一层硅凝胶,而不可用环氧树脂。这样做一方面可防止金丝热胀冷缩与环氧树脂不一致而被拉断;另一方面防止因温度高而使环氧树脂变黄变污,结果透光性能不好。所以在制作白光LED时应用硅凝胶调和荧光粉。如果LED芯片底层已镀上金锡合金,也可用第一种办法来做。,三、V型电极的大功率LED芯片的封装,四、V型电极的LED芯片倒装封装,传统正装的L
5、ED,传统正装的LED问题,芯片结构透明电极层:不可缺少,因为p型GaN掺杂困难。太薄影响扩散电流,太厚对光的吸收多,金属透明电极要吸收30%40%的光。衬底:导热系统为35W/(mK)蓝宝石电极和引线:挡住部分光线出光。,结论:这种结构光学特性、热学性能都不是最优的。,四、V型电极的LED芯片倒装封装,问题的解决倒装芯片,四、V型电极的LED芯片倒装封装,美国Lumileds Lighting 公司发明了Flipchip(倒装芯片)技术,蓝宝石透过率,四、V型电极的LED芯片倒装封装,倒装芯片封装方法简介,芯片:制备具有适合共晶焊接的大尺寸LED芯片底板:制备相应尺寸的硅底板,并在其上制作共
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