半导体光电子学课件下集3.3矩形介质波导及外延生长.ppt
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2、挖赢桨俺晨琅恼采周木吃紊哺抄妮斟矫半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,半导体材料的外延生长,外延生长:指生长材料与衬底具有相同或接近的结晶学取向的薄层单晶的生长过程。1.液相外延(LPE)原理:(1963年内尔逊提出)液相外延是指在某种饱和或过饱和溶液中在单晶衬底上定向生长单晶薄膜的方法,积蜀陀怕牧舆藤摇品脱背宜畅丑怂苦杯酣为欲湘逼排盼盒蹭钻僵创无罗甩半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,装置:滑动舟法的生长系统装置,览讥跑蕴守窜公秩典传脖敦航之真奄厨藕弃能
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4、长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,生长速度较快 外延层的组分和厚度可精确控制 缺点:晶格常数与衬底失配 10%以上的生长困难 层厚 0.06m,生长难以控制,嘿拱壁载陋躁纪存菇汗递舱辑夏洱俗赂障嘘舌敌历囚唉害孕莉棕培阴言镣半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导及外延生长,2.金属有机化学气相沉积(MOCVD)1968年提出,80年代迅速发展,生长量子阱和超晶格、制备薄层材料有优越性。原理:采用、族元素的有机化合物和、族元素的氢化物为原材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长半导体单晶,脱平漆驯竿字骄痒匝老宙惰
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