现代半导体物理ppt课件

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2、9.5 欧姆接触,金属半导体接触,整流接触肖特基势垒,非整流接触欧姆接触,肖特基接触的特点是接触区的电流电压特性是非线性的，呈现出二极管的特性，因而具有整流效应，所以肖特基接触又叫整流接触。欧姆接触的特点是不产生明显的附加阻抗，而且不会使半。

3、超材料,超材料,是本世纪物理学领域出现的一个新的学术词汇,目前尚未有一个严格的,权威的定义,但一般文献中都认为是,具有天然材料所不具备的超常物理性质的人工复合结构或复合材料,超材料的特点,通常是具有新奇人工结构的复合材料,具有超常的物理性质。

4、第3章模拟调制,现代通信原理,第三版,宋祖顺宋晓勤宋平电子工业出版社,憎壬殿版置坊手狭敬尚传磋领纳凉喝掸蔗揣把孵历博隘恍乌壳惦旭桌甲尖现代通信原理PPT课件第3章,模拟调制现代通信原理PPT课件第3章,模拟调制,1,2,3,第3章模拟调制。

5、现当代文学专题,饮冻踢粗馏基徘存帮霜雍骆耀僳讯迪眯何己失想矗合檄泽匙禾咀萌节滋偷大学语文之现代文学专题ppt课件大学语文之现代文学专题ppt课件,522023,中国现代文学的含义,1,1917年1月新青年杂志刊出的胡适的文学改良刍议为标志。

6、分子的振动能级,量子化,1,双原子分子的简谐振动及其频率化学键的振动类似于连接两个小球的弹簧,补充1简正振动,该振动符合物理学上的简谐运动,遵从虎克定律,从上式可看出,振动频率与键能成正比,与原子的折合质量成反比,发生振动能级跃迁需要能量的。

7、,第三章 SOI MOS器件SOI Silicon On Insulator绝缘体上硅,3.1 特点与优势,1 寄生效应小 采用SOI衬底，可以制造准理想器件。器件的完整介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应。体硅MOS器件中大多数寄。

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10、.,第二章 太阳能电池原理,2.1 半导体物理基础 2.2 太阳电池物理基础,.,2.1 半导体物理基础,2.1.1半导体的能带结构,1原子的能级和晶体的能带,制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而。

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13、半导体物理学,主讲人：代国章 物理楼110室，13786187882Email:,课程代码：14010022课程性质：专业课程选修课 学分：3.0时间：周二7, 8单周周三1, 2教室：D座103课程特点：内容广概念多，理论和系统性较强。课。

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15、茅惠兵信息科学技术学院,半导体物理SemiconductorPhysics,第一章半导体中的电子状态,1,1晶体结构预备知识,半导体晶体结构1,晶体结构的描述,有关的名词,格点,空间,一维或多维,点阵中的点,结点,晶列,通过任意两格点所作的。

16、,一孤立原子中的电子状态1. 单电子原子 m0为电子惯性质量，q是电子电荷，h为普朗克常数， 0是真空中介电常数。,根据上式可以得到图2.1所示的氢原子能级图。表明孤立原子中电子 能量是不连续的，电 子能量是各个分立的 能量确定值，称为能级。

17、第二章半导体材料的成份与结构,半导体材料是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的材料,材料按导电能力,一,固体,半导体,材料的分类,材料按能带特点,半导体材料按成份分类,半导体材料按结构分类,半导体材料按功能分类,理想晶体的原子排列具有周期性。

18、第五章电荷输运现象,在电场和磁场作用下，半导体中电子和空穴的运动引起各种电荷输运现象，主要包括电导霍尔效应和磁阻。 这些现象是研究半导体基本特性和内部机构的重要方面。通过电导和霍尔效应的测量，可以确定半导体中载流子浓度迁移率和杂质电离能等基。

19、第一章半导体物理基础,半导体中的电子状态载流子的统计分布简并半导体载流子的散射载流子的输运非平衡载流子,1,本课程的主要内容研究由不同半导体材料组成半导体器件时,载流子的运动规律和电压,电流等电学特性,方法,1,分析半导体器件时,应先将整个。