功率场效应晶体管16

1、开关电源推选文档,开关电源推选文档,课题四 开关电源,PC主机开关电源的基本作用就是将交流电网的电能转换为适合各个配件使用的低压直流电供给整机使用。一般有四路输出，分别是5V5V12V12V。 电路的原理框图如图43所示，输入电压为AC22。

2、第一章电力半导体器件,电力电子器件概述,功率二极管,晶闸管,可关断晶闸管,电力晶体管,功率场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管,电力电子器件散热,串并联及缓冲保护,功率场效应晶体管全控型,的结构与工作原理,的基本特性,的主要参数,的安全工作区。

3、4.1 MOS结构与基本性质4.1.1 理想MOS结构与基本性质,MOS结构指金属氧化物半导体结构。为便于讨论，规定在金属栅上所加电压UG相对于P型半导体衬底为正，称为正向偏置电压;反之则为反向偏置电压。,MOS 二极管结构 a 透视图 b。

4、智能手机检测与维修,项目一 手机基本原理与拆装,掌握移动通信原理手机的基本工作原理，了解和掌握手机与基站间是如何进行通信的，手机是如何拨通的，手机的通话内容是如何进行加密的等基础性内容。,一移动台的构成,1.移动台结构框图2. SIM卡,1。

5、小功率场效应管放大器的设计与调试,南京信息职业技术学院马永兵,夹断电压,漏极电流约为零时的值,开启电压,漏极电流恰好不为零时的值,饱和漏极电流,时对应的漏极电流,低频跨导,低频跨导反映了对的控制作用可以在转移特性曲线上求得,单位是,毫西门子。

6、第三章电力场效应晶体管,分为结型和绝缘栅型通常主要指绝缘栅型中的型,简称电力,结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管,特点用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于,电流容量小,耐压低。

7、功率场效应晶体管,概述的原意是,金属氧化物半导体,场效应晶体管,即以金属层,的栅极隔着氧化层,利用电场的效应来控制半导体,的场效应晶体管,功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的型,简称功率,结型功率场效应晶体管一般称。

8、第一章电力半导体器件,电力电子器件概述,功率二极管,晶闸管,可关断晶闸管,电力晶体管,功率场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管,电力电子器件散热,串并联及缓冲保护,功率场效应晶体管全控型,的结构与工作原理,的基本特性,的主要参数,的安全工作区。

9、实验三功率场效应晶体管,MOSFET,特性与驱动电路研究一实验目的,1熟悉MOSFET主要参数的测量方法2掌握MOSEET对驱动电路的要求3掌握一个实用驱动电路的工作原理与调试方法二实验内容1MOSFET主要参数,开启阀值电压VGS,th。

10、与器件基础,都是目前集成电路中广泛使用的半导体器件,可以与,双极晶体管,兼容,可用作恒流源及差分放大器等单元电路,而是目前微波集成电路广泛采用的器件结构,是靠静电感应电荷控制沟道电荷量,与依靠势垒的空间电荷区扩展来控制沟道的变化,依靠结空间。

11、第7章有源微波电路,7,1微波混频器,微波混频器是将接收机所接收到的微波信号变换成中频信号,以利于进一步对信号进行后续处理的微波有源器件,混频器之所以具有这种功能,关键在于其中使用了具有非线性电导的非线性元件肖特基势垒二极管,7,1,1肖特。

12、场效应管生产厂家对应表及参数场效应管对照表场效应管对照表本手册由场效应管对照表和外形与管脚排列图两部分组成,在场效应管对照表中,收编了美国,日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管,金属氧化物半导体场次晶体管,肖特基势垒控制栅场效。

13、11,第三章 电力场效应晶体管,电力MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型对于NP沟道器件，栅极电压大于小于零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N沟道增强型。,1电。

14、第7章有源微波电路,7,1微波混频器,微波混频器是将接收机所接收到的微波信号变换成中频信号,以利于进一步对信号进行后续处理的微波有源器件,混频器之所以具有这种功能,关键在于其中使用了具有非线性电导的非线性元件肖特基势垒二极管,7,1,1肖特。

15、任课教师,傅雅萍,电力电子技术,绪论,电力电子技术是电力,电子和控制技术相结合的边缘学科,自1958年第一个工业用普通晶闸管诞生以来,电力电子技术有了很大的发展,由各种电力电子器件组成的功率变换装置应用于从航空航天到家用电器的各个领域,绪论。

16、书名,模拟电子技术ISBN,7,111,19596,5作者,刘振庭出版社,机械工业出版社本书配有电子课件,本章首先简要介绍了半导体的基础知识以及半导体器件的核心部分,PN结,然后重点介绍了半导体二极管,晶体管和场效应晶体管的物理结构,工作原。

17、1,第1章 电力电子器件,1.1 电力电子器件概述1.2 电力二极管1.3 晶闸管及其派生器件1.4 门极可关断晶闸管 1.5 电力晶体管 1.6 功率场效应晶体管 1.7 绝缘栅双极性晶体管 1.8 其他新型电力电子器件 本章小结,2,1。

18、功率场效应管在PDP驱动电路中的应用,康佳集团梁宁,2004年11月15日,务凛泅涯五硅里挝截衔忠锤责袁唁绣扫陕羽疏捆他插烷辟勿叔慷尾顽奏纽功率场效应管在PDP驱动电路中的应用功率场效应管在PDP驱动电路中的应用,等离子电视,PDP,是利用。

19、第一章电力半导体器件,电力电子器件概述,功率二极管,晶闸管,可关断晶闸管,电力晶体管,功率场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管,电力电子器件散热,串并联及缓冲保护,功率场效应晶体管全控型,的结构与工作原理,的基本特性,的主要参数,的安全工作区。

20、第二章全控型电力电子器件,主编,第一节门极关断晶闸管,一,GTO的结构与特点门极关断晶闸管的结构与普通晶闸管相似,也为PNPN四层半导体结构,三端,阳极A,阴极K,门极G,器件,其内部结构,等效电路及符号如图21所示,图2,1GTO的内部结。