场效应晶体管及其应用.ppt
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1、第3章 场效应晶体管及其应用(共6学时)学习目标:1了解各种场效应晶体管的结构,掌握它们的转移特性、输出特性以及主要参数。2掌握场效应晶体管的静态偏置电路与静态分析方法。3掌握场效应晶体管共源极放大器、共漏极放大器(源极跟随器)的微变等效电路与主要性能参数。,本章内容3.1 场效应晶体管的基本特性(2学时)3.2 共源极场效应晶体管放大电路(2学时)3.3 源极输出器(2学时)小结,3.1场效应晶体管的基本特性,3.1场效应晶体管的基本特性,3.1.1 结型场效应晶体管,结型场效应管简称JFET,它是利用半导体内的电场效应来工作的,因而也称为体内场效应器件。结型场效应管有N沟道和P沟道两类。,
2、3.1场效应晶体管的基本特性,3.1.1 结型场效应晶体管,3.1场效应晶体管的基本特性,3.1.1 结型场效应晶体管,UGS(off)uDS0,3.1场效应晶体管的基本特性,3.1.2 绝缘栅型场效应晶体管,3.1场效应晶体管的基本特性,3.1.2 绝缘栅型场效应晶体管,3.1场效应晶体管的基本特性,3.1.2 绝缘栅型场效应晶体管,3.1场效应晶体管的基本特性,3.1.2 绝缘栅型场效应晶体管,当uGSUGS(th)时,3.1.3 场效应晶体管的特性参数,1.性能参数,(1)开启电压UGS(th)是增强型MOS管特有的参数。它是指uDS为一固定值(如10V),使iD等于某一微小电流(如10
3、A)时所需要的最小uGS值。(2)夹断电压UGS(off)是耗尽型MOS管和结型管的参数。它是指uDS为一固定值(如10V),而使iD减小到某一微小电流(如10A)时的uGS值。(3)饱和漏极电流IDSS是耗尽型MOS管和结型管的参数。它是指在uGS时,使管子出现预夹断时的漏极电流。IDSS也是结型管所能输出的最大电流。(4)直流输入电阻RGS是指在漏、源极间短路的条件下,栅、源极之间所加直流电压与栅极直流电流的比值。一般JFET的RGS107,而IGFET的RGS109。,3.1.3 场效应晶体管的特性参数,1.性能参数,(5)低频跨导(互导)gm是指在uDS为某一定值时,漏极电流iD的微变
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- 场效应 晶体管 及其 应用
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