《刻蚀间工艺培训》PPT课件.ppt
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1、刻蚀工艺培训,热探针和N型半导体接触时,传导电子将流向温度较低的区域,使得热探针处电子缺少,因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。同样道理,P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。此电势差可以用简单的微伏表测量。热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围,也可以用小型的点烙铁。,检测,什么是湿法刻蚀,化学腐蚀 在半导体生产中,半导体材料或金属等材料与腐蚀液发生化学反应,从而去除材料表面的损伤层或在材料表面获得一定形状的图形过程。湿法刻蚀 湿法刻蚀其实是腐蚀的一种,是对硅片边缘的腐蚀,但不影响太阳电池的工艺结构。HF/HNO3体系,利用其各向同性腐蚀特性,使用RENA
2、in-line式结构的设备,利用表面张力和毛细作用力的作用去除边缘和背面的N型。,简单设备结构与工艺说明图示,HF/HNO3体系腐蚀机理,硅在HON3+HF溶液中的腐蚀速率大,而在纯HNO3或纯HF溶液中的腐蚀速率很小。,图:硅在70%(重量)HNO3+49%(重量)HF混合液中的腐蚀速率与成分的关系,在低HNO3及高HF浓度区(图右角区)等腐蚀曲线平行于等HNO3浓度线。在低HF高HNO3浓度区(图左下角区)等腐蚀线平行于HF浓度线。,HF/HNO3体系腐蚀机理,根据这一特性,我们可以把常用的酸性腐蚀液(通常由不同比率的硝酸(HNO3),氢氟酸(HF)及缓冲液等组成)的腐蚀机理分为两步:1.
3、利用硝酸(HNO3)氧化硅片表面 Si+2HNO3SiO2+2HNO2 2HNO2NO+NO2+H2O 2.利用氢氟酸(HF)与氧化硅生成可溶于水的络合物 SiO2+6HFH2SiF6+2H2O,HF/HNO3体系腐蚀机理,大致的腐蚀机制是HNO3(一种氧化剂)腐蚀,在硅片表面形成了一层SiO2,然后这层SiO2在HF 酸的作用下去除。在低HNO3及高HF浓度区,生成SiO2的能力弱而去除SiO2的能力强,反应过程受HNO3氧化反应控制,所以腐蚀曲线平行于等HNO3浓度线。在低HF高HNO3浓度区,生成SiO2的能力强而去除SiO2的能力弱,反应过程受HF反应控制,所以腐蚀线平行于HF浓度线。
4、,HF/HNO3体系腐蚀机理特点,大致的腐蚀机制是先氧化再去除,酸对硅的腐蚀速度与晶粒取向无关,因此酸腐蚀又称为各向同性腐蚀。在HF-HNO3溶液中的刻蚀速率是各向同性,(100)面的刻蚀速率和(111)面的腐蚀速率非常接近。而碱性腐蚀液为典型的各向异性腐蚀,(111)面的腐蚀速率远远大于(100)的腐蚀速率。刻蚀只腐蚀边缘,而不影响太阳电池的工艺结构,而碱性腐蚀液各向异性大,已经做好的绒面引起更大的差异,不利于后道的工序。,HF/HNO3体系两区域腐蚀机理特点,在低HNO3及高HF浓度区,由于该区有过量的HF可溶解反应产物SiO2,所以腐蚀速率受HNO3的浓度所控制,这中配方的腐蚀剂由于孕育
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