常用基本放大电路.ppt

第2章 常用基本放大电路,放大电路,另外二种基本组态,基本共射放大电路,放大电路的分析,基本共基,基本共集,静态工作点的稳定,简化电路,静态工作点,动态分析,性能指标,概念,放大条件,直流通路和交流通路,静态分析,动态分析,温度的影响,射极偏置电路,复合管放大电路,共集共基放大电路,共射共基放大电路,派生电路,图解法,小信号模型法,场效应管放大电路,三种接法比较,与固定偏置的比较,放大电路的频率响应,频率响应概述,晶体管高频等效模型,共射电路,的频率响应,研究的必要性,单时间常数RC电路,BJT混合的模型,高频响应,频率响应,增 益,低频响应,共基电路的高频响应,单管放大电路,多级放大电路,RC低通电路,RC高通电路,完整模型,简化模型,参数获得,等效电路,高频响应,增益带宽积,例 题,Home,内容简介,第2章 基本放大电路,2.1 放大的概念及放大电路的性能指标,2.2 三种基本组态放大电路及其派生电路,2.3 多级放大电路,2.4 场效应管基本放大电路,2.5 放大电路的频率特性,2.6 基本放大电路的设计,本章讨论的问题主要归结为两个方面：(1)为什么要放大？(2)如何实现放大？,2.1.1 放大的概念,电子电路中放大,本质上讲是一种能量的转换,即在输入小信号控制下,通过放大器将直流电源的能量转换成负载所需的,比输入信号源所提供的大得多的能量.注意：放大是指不失真前提下，使交流信号由小变大、由弱变强。,电压放大电路可以用有输入端口和输出端口的四端网络表示，如下图：,Au,Exit,2.1 放大电路的组成及其基本性能指标,晶体管放大器是一种将直流电源的能量转换为交流信号能量输出的电路装置.晶体管是控制能量转换的元件.,ii,i0,Home,Next,Back,2.1.2 阻容耦合共发射极放大电路的组成,阻容耦合：电路通过电阻电容连接传递信号的方式。起连接作用的电容称之为耦合电容。耦合电容的容量一般很大，为电解电容，起隔直通交的作用。,2.1.3 放大电路的性能指标,1.放大倍数,电压放大倍数,电流放大倍数,互导放大倍数,互阻放大倍数,2.输入电阻Ri,输入电阻(由放大器输入端看进去呈现的电阻)是衡量放大电路从信号源(或从其前级放大器输出端)吸取电流大小的参数。输入电阻越大，从其前级吸取的电流越小，对前级的影响越小。,3.输出电阻Ro,输出电阻是从放大电路输出端看进去呈现的电阻。放大电路输出端对其负载而言，相当于信号源，我们将它等效为戴维南等效电路，这里的内阻就是输出电阻。,4.通频带,通频带：,fBW=fHfL,放大倍数随频率变化曲线,Exit,5.非线性失真：主要由半导体器件非线性特性引起的失真。如图 所示。,Home,Next,Back,设:输出信号中的基波幅值为A1、谐波波幅值为A2、A3，则非线性失真系数：,6.线性失真 由于电抗元件(主要是电容)对不同频率具有不同的电抗，造成对不同频率成分具有不同的衰减和附加相移，导致输出信号波形相对于输入信号波形产生畸变失真，这种由线性电抗元件引起的失真称为线性失真(或频率失真)。7.最大不失真输出电压 当输入电压增大到使输出电压非线性失真系数达到额定值(通常定为10%)时的输出电压定义为最大不失真输出电压。一般以有效值Uom表示。,Home,Next,Back,三极管基本放大电路有三种基本组态形式,共射放大器,共基放大器,共集放大器,以共射放大器为例讲解工作原理,2.2 三种基本组态放大电路及派生电路,Home,2.2.1.基本共射放大电路,Next,Rc、VCC：集电极电阻和集电极电源，提供输出回路的静态工作点IC和UCE。同时，Rc 还是集电极负载电阻，其作用是将受化的集电极电流转化为变化的集电极电压。,Rb、VB：基极电阻和基极电源，使发射结正偏，且提供合适的静态基极电流IB和静态基射电压UBE。,由于电源的存在IB0,IC0,IBQ,ICQ,IEQ=IBQ+ICQ,1.固定偏置基本其射放大电路 提供直流IB、UBE、IC、UCE的电路称为直流(静态)偏置电路(简称偏置电路)。有固定偏置和基极分压式射极偏置两种。下图为固定偏置电路,Exit,IBQ,ICQ,(ICQ、UCEQ),(IBQ、UBEQ),静态工作点设置的必要性：保证晶体管工作在线性放大区合适的位置(良好的交流放大特性点总是建立在合适的直流工作状态的基础之上的),Exit,放大电路分析包括两个方面：(1)直流工作状态分析以保证晶体管处在放大区合适位置；(2)交流特性分析以使各项交流指标满足实际需要。(IBQ,UBEQ)和(ICQ,UCEQ)分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。,Exit,放大电路设置了合适静态工作点后，在正弦输入信号作用下，相关电流、电压波形如下图所示,Exit,放大电路分析,静态分析,动态分析,估算法,图解法,微变等效电路法,图解法,计算机仿真,Exit,放大电路的分析方法,静态:,时，放大电路的工作状态，也称直流工作状态。,静态分析,确定放大电路的静态值IB、IC、UCE,即静态工作点Q。静态工作点的设置合适与否直接影响放大电路的交流放大特性的好坏。,静态分析方法:,近似估算法,(1)静态工作点近似估算法,借助于放大电路的直流通路来求,直流通路是能通过直流电流流经的通道。将电路中耦合电容和旁路电容开路、电感视为短路，即可得直流通路。,1)、阻容耦合共射放大电路,2.共射放大电路静态工作点分析计算,图解分析法,NPN型Si管：UBE=0.7V可作已知条件使用,PNP型Ge管:UBE=-0.2V-0.3V可作已知条件用,（b）求静态值,分析计算静态工作点基本步骤：（a）首先画出直流通路：电容视为开路，电感视为短路,从IB入手，求解顺序是:先求IBICUCE,UCE=VCC-ICRC,Exit,2）、直接耦合共射放大电路,放大电路如图所示。已知BJT的=80，Rb=300k，Rc=2k，VCC=+12V，求：（1）放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？,解：,静态工作点为 Q（40uA，3.2mA，5.6V），BJT工作在放大区。,例题2.1,共射极放大电路,Exit,(2)静态工作点图解法,放大电路的输入和输出直流负载线,三极管的输入和输出特性曲线,确定静态工作点,1）由输入特性曲线和输入直流负载线求IBQ、UBEQ,UBE=VCC-IBRb,直流负载线,作出直流负载线，直流负载线和输入特性曲线的交点即是静态工作点Q，由Q可确定IB、UBE,列输出回路方程（直流负载线）：VCE=VCCICRc,在输出特性曲线上，作出直流负载线,此直流负载线与IBQ曲线的交点即为Q点，分别以Q点作纵坐标和横坐标的垂线,即得ICQ和VCEQ,2）由输出特性曲线和直流负载线求ICQ、UCEQ,动态分析目的：,确定放大电路放大倍数AU 或AI，输入电阻Ri和输出电阻Ro。,3.共射放大电路的动态分析,输入信号 时放大电路的工作状态，称交流工作状态(也称动态)。动态分析有：图解法和微变等效电路法,（1）直流负载线与交流负载线,共射极放大电路,无负载时直流负载线与交流负载线重合,交流通路,共射极放大电路,1）通过输出特性曲线上过Q点做一条斜率为-1/RL直线。,2）交流负载电阻RL=RLRC,3）交流负载线是有交流输入信号时，工作点Q的运动轨迹。,共射极放大电路,有负载时直流负载线与交流负载线不重合,（2）动态图解分析法,动态图解法是利用特性曲线和交流负载线确定电流电压变化范围。,动态图解分析步骤如下：,1）由输入特性曲及 确定 和 波形及动态变化范围,2）由iB变化范围、输出特性曲线及输出交流负载线确定iC及uCE变化范围。,（3）静态工作点选择与波形失真1)晶体管非线性引起的失真,共射极放大电路,通过图解分析，可得如下结论：1.vi vBE iB iC vCE|-vo|2.vo与vi相位相反；3.可以测量出放大电路的电压放大倍数；4.可以确定最大不失真输出幅度。,放大电路获得最大的不失真输出幅度：,工作点Q要设置在输出特性曲线放大区的中间部位；要有合适的交流负载线,放大电路的动态范围,2)静态工作点不合适引起失真,静态工作点IC选得太大，动态时到达了三极管的饱和区Q,饱和失真,截止失真,静态工作点IC选得太小，动态时工作点到达了三极管的截止区。,输入小信号(几十毫伏以下)情形下用线性电路表示晶体管的分析方法称为微变等效电路法,1)晶体管低频H参数 所谓低频是指放大器耦合电容视为短路，晶体管结电容视为开路的频率范围。在模拟电路中，常用H(混合)参数等效电路模型(物理意义明确、参数易测量、分析简便)。它是分析小信号放大电路交流特性的基本工具。注意：晶体管H参数等效电路是对交流小信号等效的交流模型，不能用它分析大信号交流放大器，更不能用它分析放大器直流特性(如静态工作点等)。,(4)晶体管微变等效电路法,在小信号情况下，对上两式取全微分得,用小信号交流分量表示,vbe=hieib+hrevce,ic=hfeib+hoevce,对于BJT双口网络，已知输入输出特性曲线如下：,iB=f(vBE)vCE=const,iC=f(vCE)iB=const,可以写成：,BJT双口网络,vbe=hieib+hrevce,ic=hfeib+hoevce,输出端交流短路时的输入电阻；,输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数；,输入端交流开路时的反向电压传输比；,输入端交流开路时的输出电导。,其中：,四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H参数）。,可得小信号H参数模型如右下图,根据:vbe=hieib+hrevce,ic=hfeib+hoevce,H参数是交流小信号参数，即微变参数或交流参数。H参数与工作点有关，在线性放大区小信号范围基本不变。H参数只适合对交流小信号的分析。,BJT的H参数模型,2)晶体管H参数等效电路模型,记 rbe=hie=hfe hre=10-310-4，hoe10-5,则BJT的H参数模型 如图(b)：,3)简化的晶体管H参数等效电路模型,BJT的H参数模型(a),ib 是受控源，且为电流控制电流源(CCCS)。电流方向与ib的方向是关联的。,Exit,一般用测试仪测出；,rbe 与Q点有关，可用图示仪测出。也可用公式估算：,rbe=rb+(1+)re,其中对于低频小功率管 rb 约200至200 左右,则,4)H参数的确定,工程上BJT H参数的确定,共射放大电路微变等效电路分析方法分析步骤：,首先画出放大电路的交流通路 将交流通路中的晶体管用h参数等效电路代替 标出等效电路电压电流规定极性(NPN管基极电流、集电极电流流进为正，电压以公共点为负)，列表达式，若实际极性与规定极性相同取正，否则取负。然后分析有关交流特性指标。,Rbrbe可忽略,根据,则电压增益为(注意负号的引入及其意义),1)电压增益,求放大电路动态指标,3)求输出电阻,令,2)求输入电阻,令,Ri,解：,（1）,放大电路如图所示。试求：（1）Q点；（2）,已知=50。,例题,、,、,。,。,解：,（2）,温度变化对ICBO的影响,温度变化对输入特性曲线的影响,温度变化对 的影响,稳定工作点原理,放大电路指标分析,固定偏流电路与射极偏置电路的比较,温度对工作点的影响,射极偏置电路,4.静态工作点稳定的共射放大电路,ICBO的影响,对输入特性曲线的影响,温度T 输出特性曲线上移,温度T 输入特性曲线左移,对 的影响,温度每升高1,要增加0.5%1.0%,温度T 输出特性曲线族间距增大,温度对工作点的影响,Exit,(1)工作点稳定条件与稳定过程,目标：温度变化时，IC维持恒定。,如果温度变化时，b点电位能基本不变，则可实现静态工作点的稳定。,T,IC,IE,IC,VE、VB不变,VBE,IB,（反馈控制）,I1 IB，,此时，,不随温度变化而变化。,VB VBE,且Re可取大些，反馈控制作用更强。,一般取 I1=(510)IB，VB=3V5V,静态工作点稳定电路,Exit,由RB1、RB2分压得到稳定的基极直流电压UB静态工作点分析：由基极电压UB入手、先求IC(IE)、然后求IB和UCE,图,2)利用射极电阻RE上电压UE自动调整IB、IC 本电路工作点稳定的过程实际是由于加了RE形成了如下负反馈过程 3)CE的作用：使RE交流短路,Exit,(2)交流参数计算,+VCC,uo,问题1：如果去掉CE，放大倍数怎样？,去掉 CE 后的交流通路和微变等效电路：,问题2：如果电路如下图所示，如何分析？,静态分析：,直流通路,动态分析：,交流通路,交流通路：,微变等效电路：,静态：,固定偏置电路与静态工作点稳定基极分压式偏置电路比较,共射极放大电路,固定偏流共射极放大电路,Ro=Rc,#基极分压偏置电路做如何改进，既可以使其具有温度稳定性，又可以使其具有与固定偏流电路相同的动态指标？,b,动态,b,b,改进1,静态工作点的稳定,射极偏置电路,等效电路,等效电路,改 进 电 路,1,改进2,Exit,2.2.2 共集电极放大电路(射极输出电路)信号由基极输入、发射极输出，对交流而言，集电极为输入、输出公共端，故称共集放大电路。,静态工作点计算分析方法：由直流通路基-射回路入手，列出电压方程：IBRB+UBE+IERE=VCC先求IB或IE,hie,2.交流参数计算,(1)电压放大倍数,Exit,1.,所以,共集电路无电压放大作用，但是，有电流放大作用，输出电流为Ie，增加了(1+)倍。,2.输入输出电压同相，输出电压跟随输入电 压变化，故称电压跟随器（也叫射极跟随器）。,结论：,Exit,(2)输入电阻,输入电阻较大(通常为几十千欧以上)，作为前一级的负载，对前一级的放大倍数影响较小。注意：负载电阻RL对输入电阻有影响。R/L=RC/RL,Exit,用加压求流法求输出电阻。其等效电路如右下图,(3)输出电阻,Exit,设：,Exit,一般：,所以：,射极输出器的输出电阻很小(几欧至几十欧)，带负载能力强。,射极输出器的使用,1.将射极输出器放在电路的首级，可以提高输入电阻。,2.将射极输出器放在电路的末级，可以降低输出电阻，提高带负载能。,3.将射极输出器放在电路的两级之间，可以起到电路的匹配作用。,Exit,1.静态工作点,直流通路与射极偏置电路相同,2.2.3 共基极放大电路,Exit,2.交流参数计算,Exit,电压放大倍数 注意下式中符号意义,电压增益：,Exit,(3)输出电阻,(2)输入电阻,Exit,电压增益：,输入电阻：,输出电阻：,2.2.4 三种基本放大电路性能的比较,Exit,耦合方式：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；光电耦合。,2.3 多级放大电路,耦合：即信号的传送。,多级放大电路对耦合电路要求：,1.静态：保证各级Q点合理设置,2.动态:有效传送信号。,要求：波形不失真，减少压降损失。,Exit,直接耦合放大电路(a)图不可取！为什么？,2.3.1 多级放大电路的耦合方式,Exit,2.阻容耦合放大电路,Exit,3.变压器耦合共射放大电路,由 P1=P2 则,Exit,4.光电耦合器及其传输特性,Exit,1.静态分析：阻容(变压器)耦合同单级；直接耦合级间相互影响，具体分析时，针对不同电路，先找”突破口”2.动态分析,2.3.2 多级放大电路的分析,Exit,直接耦合,存在两个问题：,1）第二级的静态工作点已接近饱和区。,2）由于采用同种类型的管子，级数不能太多。,为了解决第一个问题：可以采用如下的办法。,（a）,R,R,B1,C1,u,i,u,o,T,T,1,2,U,CE1,R,C2,(a)加入电阻RE2,R,R,B1,C1,R,C2,u,i,u,o,T,T,1,2,R,Uz,+V,Dz,CC,（b）在T2的发射极加入稳压管,R,R,B1,C1,R,E2,u,i,u,o,T,T,1,2,R,C2,为了解决第二个问题：可以在电路中采用不同类型的管子，即NPN和PNP管配合使用，如下图所示。,利用NPN型管和PNP型管进行电平移动,设:1=2=50,rbe1=2.9k,rbe2=1.7 k,例1,求:Au、Ri、R0,Exit,关键:考虑级间影响。,1.静态:Q点同单级。,2.动态性能:,方法:,Ri2=RL1,多级放大电路的动态分析,Exit,考虑级间影响,1,Exit,微变等效电路:,Exit,1.Ri=R1/rbe1+（+1)RL1,其中:RL1=RE1/Ri2=RE1/R2/R3/rbe2=RE1/RL1=RE1/Ri2=27/1.7 1.7k,Ri=1000/(2.9+511.7)82k,2.Ro=RC2=10k,Exit,3.中频电压放大倍数:,其中：,Exit,Exit,多级阻容耦合放大器的特点：,(1)各级放大器的静态工作点相互独立，分别估算。(2)前一级的输出电压是后一级的输入电压。(3)后一级的输入电阻是前一级的交流负载电阻。(4)总电压放大倍数=各级放大倍数的乘积。(5)总输入电阻 ri 即为第一级的输入电阻ri1。(6)总输出电阻即为最后一级的输出电阻。,由上述特点可知，射极输出器接在多级放大电路的首级可提高输入电阻；接在末级可减小输出电阻；接在中间级可起匹配作用，从而改善放大电路的性能。,多级放大电路的动态分析,Exit,作用：提高电流放大系数，增大电阻rbe,复合管也称为达林顿管,2.3.3 晶体管组合电路,Exit,复合管放大电路,1、复合管共射放大电路,复合管共射放大电路特点：电压放大倍数基本不变；电流放大倍数增加，减小了对信号源驱动电流的要求；输入电阻增加。,2.复合管共集放大电路,复合管共集放大电路特点：电压跟随特点不变；电流放大倍数增加；输入电阻显著增加，输出电阻显著减小。,3.复合管共射共基放大电路,共射共基放大电路的交流通路,共基电路输入电阻小，使共射电路的高频特性得到改善。,Exit,4.复合管共集共基放大电路,共集共基放大电路的交流通路,特点：电路具有较宽的通频带。,Exit,Home,场效应管放大电路的三种组态,Next,2.4 场效应管放大电路,uGS控制iD；工作于恒流区；gb、se、dc,结型场效应管,N沟道耗尽型,P沟道耗尽型,各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线,绝缘栅场效应管,N沟道增强型,P沟道增强型,绝缘栅场效应管,N沟道耗尽型,P 沟道耗尽型,2.4.1 共源极放大电路 分析方法：图解法、估算法和微变等效电路法。1.直流偏置电路的设置及静态工作点的计算方法(1)固定偏压方式,场效应管具有放大作用的条件是：工作于恒流区。对于N沟道场效应管：（1）JFET VGS VGS(th)0.对于P沟道场效应管，与上述条件相反。,固定偏置共源放大电路,（a）图解法（必须知道场效应管的输出特性曲线）,因为IGQ=0，则VGSQ=VGG。输出回路直流负载线方程：vDS=VDD-iD Rd，作此负载线，交VGS=VGG于Q点，对应的iD、vDS 即为IDQ、VDSQ。,Q,（b）解析法（必须知道场效应管的IDO和VGS(th),对于JFET和耗尽型MOSFET,必须知道场效应管的IDSS和VGS(OFF)。其电流方程为：,（2）自给偏压方式,联立(1)、(2)可解得VGSQ和IDQ。当然，有两个解，取其中有物理意义的解。,联立(1)、(2)可解得VGSQ和IDQ。当然，有两个解，取其中有物理意义的解。,（3）自偏压与分压式偏置电路,A,场效应管放大电路的动态分析(1)场效应管的微变等效电路,N沟道结型场效应管,N沟道增强型场效应管,很大，可忽略,场效应管微变等效电路,Exit,Exit,(2)共源放大电路的微变等效电路,ro=RD=10k,Exit,Exit,2.4.2 共漏极 放大电路1.静态工作点计算(略)2.微变等效电路及动态分析,输入电阻 ri,Exit,输出电阻 ro,Exit,1.研究放大电路频率特性的必要性,在放大电路中，当输入信号频率过高或过低时，其放大倍数的值会减小，并产生相移（超前或滞后）。说明放大倍数是信号频率的函数，这种函数关系称之为频率特性或频率响应。,产生这种现象的原因：放大电路中存在电抗元件（电容、电感等）及晶体管存在极间电容。,在前面讨论的放大电路中，我们忽略了电路中的电抗元件及晶体管极间电容的影响，认为在输入信号的频率范围内，其放大倍数的幅度和相位均保持不变，此频率范围称之为中频段。,2.5 放大电路的频率特性,2.5.1 频率特性的一般概念,2.频率响应,用电压增益来表示,在输入正弦信号情况下，放大电路输出随输入信号频率连续变化的稳态响应，称为该电路的频率响应。,其中,幅频响应,相频响应,20lg|AV|(dB),用分贝表示,4.频率失真（线性失真）,幅频失真：幅频特性破坏了输入信号各分量间的相对幅度关系相频失真：相频特性破坏了输入信号各分量间的相对相位关系,基波,二次谐波,输入信号,输出信号,基波,二次谐波,3.频率响应的物理意义,幅频响应：对不同频率信号的增益,相频响应：对不同频率信号的移相,其中,高频区,中频区,低频区,5.频率特性及通频带的概念,2.5.2 RC高通电路与RC低通电路,1.RC高通电路,fL,0.1fL,0.01fL,f,AV/dB,0,-20,-40,-3dB,20dB/十倍频,10fL,900,450,00,f,100fL,.,.,45dB/十倍频,2.RC低通电路,0.1fH,fH,10fH,-40,0,-20,.,.,-3dB,-20dB/十倍频,.,00,-450,-900,.,AV/dB,-45dB/十倍频,低通电路的幅频特性曲线,低通电路的相频特性曲线,fL,0.1fL,0.01fL,f,AV/dB,0,-20,-40,-3dB,20dB/十倍频,10fL,900,450,00,f,100fL,.,.,45dB/十倍频,0.1fH,fH,10fH,-40,0,-20,.,.,-3dB,-20dB/十倍频,.,00,-900,.,AV/dB,-45dB/十倍频,高通电路,低通电路,-450,1.晶体管的高频混合型等效电路,完整的混合模型,rbb-基区的体电阻，b是假想的基区内的一个点。,rbe-发射结电阻rbe与发射区体电阻re折算到基极回路的电阻。,rce-c-e间的动态电阻。,Cbe-发射结电容,rbc-集电结电阻,Cbc-集电结电容,互导,反映了 对 控制作用。,2.简化的混合型等效电路及主要参数,反映了 对 控制作用。,等效,补充：密勒定理,（3）混合模型的单向化,密勒效应,（与H参数的关系）,低频时，混合模型与H参数模型等效,又:rbe=rb+(1+)re,(4).模型参数的获得,所以,又因为,所以,从手册中查出,3.晶体管电流放大系数的频率特性,P44,共射截止频率,幅频特性,相频特性,特征频率,是使 下降到1时的频率,共基截止频率,2.5.5 放大电路的频率响应,2.中频电压放大倍数,1.单级共射放大电路的频率响应,极间电容开路,耦合或旁路电容短路。,3.低频电压放大倍数,极间电容开路,考虑耦合或旁路电容影响.,U/0,高通电路,不带负载时中频电压放大倍数,低频段,由C引起的最大附加相移为+900,带负载时中频电压放大倍数,4、高频电压放大倍数,高频段,由C引起的最大附加相移为-900,例题,解：,模型参数为,低频电压增益为,又因为,所以上限频率为,5.完整放大倍数表达式及波特图,6.放大电路频率特性改善和增益与带宽关系,Home,Next,（1）改善放大电路频率响应的途径,加大耦合电容和射极旁路电容的容量和回路电阻的值，以降低下限频率；或采用直接耦合方式，使 fL=0。,减小b-c之间的等效电容或 g-s之间的等效电容的容量和回路电阻的值，以提高上限频率。,（2）放大电路带宽与增益之间的矛盾,对大多数电路，fH fL，所以带宽 fbw=fJ fL fH，带宽与增益的矛盾即为上限频率 fH 与带宽 fbw 矛盾。,所以，fH 与增益是矛盾的。,2.6 基本放大电路的设计,基本放大电路设计的一般原则,一、放大电路组态的确定,二、电路结构的选择,三、静态工作点的设置,四、直流电源 的选择,五、电压放大倍数的确定,六、耦合电容和发射极旁路电容大小的选择,七、晶体管的选择,常用基本放大电路,放大电路,另外二种基本组态,基本共射放大电路,放大电路的分析,基本共基,基本共集,静态工作点的稳定,简化电路,静态工作点,动态分析,性能指标,概念,放大条件,直流通路和交流通路,静态分析,动态分析,温度的影响,射极偏置电路,复合管放大电路,共集共基放大电路,共射共基放大电路,派生电路,图解法,小信号模型法,场效应管放大电路,三种接法比较,与固定偏置的比较,总结,放大电路的频率响应,频率响应概述,晶体管高频等效模型,共射电路,的频率响应,研究的必要性,单时间常数RC电路,BJT混合的模型,高频响应,频率响应,增 益,低频响应,共基电路的高频响应,单管放大电路,多级放大电路,RC低通电路,RC高通电路,完整模型,简化模型,参数获得,等效电路,高频响应,增益带宽积,例 题,