微电子器件基础第八章习题解答.ppt
1、,第八章 半导体表面与金属-绝缘体-半导体(MIS结构),P型硅衬底,MOS结构表面本征时,表面处费米能级等于禁带中央,表面处电子浓度等于空穴浓度,,金属层,P半导体,d,绝缘层,(x),x,xd,+Q,-Q,表面层电子浓度服从波尔兹曼分布,单位面积表面电荷,,所以,表面电场强度,,(电场指向半导体内),单位面积表面层电容,2、,,硅半导体表面耗尽层宽度,,3、,硅半导体衬底,室温300K下的归一化平带电容,,4、,理想MIS结构不考虑功函数差、氧化层电荷和界面态,半导体表面强反型时对应的外加电压称为理想MOS结构的开启电压。,(x),+Q,-Qn,x,Ec,Ei,Ev,EF,5、,金属层,N半导体,d,绝缘层,C/C0,0,0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0,VG,E,D,金属接正,半导体接负为正向电压;反之为负向电压。,堆积:平带:耗尽:本征:弱反型:临界强反型:强反型:深耗尽:,(V),6、,固定电荷带正电,半导体表面能带下弯曲,C-V沿负电压方向平移,考虑功函数差,平带电压,C/C0,VG,0,VFB,VFB,假定固定表面电荷分布与氧化层厚度无关,则对不同氧化层厚度,设,则,,C/C0,VG,0,VFB1,VFB1,C/C0,VG,0,VFB2,VFB2,确定固定电荷面密度后,由,或者,求得金属和半导体功函数差产生的平带电压,7、,(1)氧化层正电荷均匀分布,金属,氧化层,半导体,x,由已知氧化层单位面积总离子数,得到,(2)氧化层正电荷三角分布,金属侧最高,半导体侧为零,金属,氧化层,半导体,x,由已知氧化层单位面积总离子数,得到,(3)氧化层正电荷三角分布,金属侧为零,半导体侧最高,金属,氧化层,半导体,x,由已知氧化层单位面积总离子数,得到,8、,(1)电子占据单能级受主型表面态 的几率,,单位面积上表面态电子浓度,,受主型表面态被电子占据后带负电,单位面积负电荷密度,,(2)电子占据受主型表面态能级 的几率,,单位面积上受主型表面态电子浓度,,受主型表面态被电子占据后带负电,单位面积上负电荷密度,,9、,栅控二极管上加有反偏压,栅极下面二极管低掺杂区(假设为P型)半导体表面发生临界强反型时,半导体表面势,,忽略平带电压,开启电压,,单位面积半导体表面空间电荷密度,当反向偏压,,10、,“半导体物理学”学习辅导与典型题解,田敬民 张声良编,PP160,例8-14,