半导体三极管及其基本放大电路.ppt

第8章 半导体三极管及其基本放大电路,8.1 半导体三极管8.2 基本放大电路分析8.3 静态工作点的稳定与分压式偏置电路8.4 共集电极放大电路8.5 共基极基本放大电路8.6 多级放大器8.7 场效应晶体管及其放大电路习题8,8.1 半导体三极管,8.1.1 半导体三极管的结构和符号半导体三极管又称晶体三极管，简称三极管，它是放大电路中的核心器件,其外型如图8.1所示，其结构和符号如图8.2所示。,图8.1 三极管的外型,图 8.2 三极管的结构和符号(a)NPN型结构;(b)PNP型结构;,图 8.2 三极管的结构和符号(c)NPN型符号;(d)PNP型符号,8.1.2三极管的电流放大作用三极管最重要的特性是具有电流放大作用。但要使三极管工作在放大状态，必须具备两个条件:一是必须以正确的连接方式将三极管接入输入输出回路。按公共端的不同，可连接成三种基本组态：共发射极、共基极和共集电极，如图8.3所示。不同的连接方式，其特性存在较大差异。二是必须外加正确的直流偏置电压，即发射结正向偏置、集电结反向偏置。图8.4所示为共发射极电路，图中VCCVBB，三个电极的电位关系为UCUBUE。如果使用PNP型管，应将基极电源和集电极电源的极性反过来，使得UC UB UE，三个电流IB、IC和IE的方向也要反过来。,图 8.3 三极管的三种组态(a)共射极;(b)共基极;(c)共集极,按图8.4所示的实验电路，可通过改变RB来改变基极电流IB，集电极电流IC和发射极电流IE也随之变化，测试结果如表8.1所示。,图 8.4 测试三极管电流放大作用的实验电路,表8.1 三极管电流放大实验测试数据,分析表8.1的实验测试数据，可得到以下结论：(1)三极管各电极电流的关系满足且IB很小，ICIE。(2)IC与IB的比值基本保持不变，其大小由三极管的内部结构决定，定义该比值为共射极电路的直流电流放大倍数，用表示，即(8.2),(8.1),式(8.2)表明，当三极管工作在放大状态时，集电极电流始终是基极电流的倍。(3)IC与IB的变化量IC与IB的比值也基本保持不变，定义该比值为共射极电路的交流电流放大倍数，用表示，即(8.3),8.1.3 三极管的伏安特性曲线1.输入特性曲线 三极管的输入特性，是指当UCE一定时，IB与UBE之间的关系曲线，即IB=f(UBE)|UCE=常数，如图8.5(a)所示。,图 8.5 三极管共射极电路的特性曲线(a)输入特性曲线；(b)输出特性曲线,从输出特性曲线可以看出，三极管有三个不同的工作区域，放大区、饱和区和截止区，它们分别表示三极管的三种工作状态。三极管工作在不同区域，特点也各不相同。(1)放大区：指曲线上IB0和UCE1 V之间的部分，此时发射结正偏、集电结反偏，三极管处于放大状态。其特征是当IB不变时IC也基本不变，即具有恒流特性；当IB变化时，IC也随之变化，这就是三极管的电流放大作用。(2)截止区：指曲线上IB 0的区域，此时发射结反偏，三极管为截止状态，IC很小，集电极与发射极间相当于开路，三极管相当于断开的开关。,(3)饱和区：指曲线上UCEUBE的区域，此时IC与IB无对应关系，集电极与发射极之间的压降称为饱和电压，用UCES表示。硅管的UCES 约为0.3V，锗管的UCES约为0.1V。三极管相当于闭合的开关。饱和时的集电极电流IC称为临界饱和电流，用ICS表示，大小为(8.4),8.1.4 三极管的主要参数三极管的参数很多，其主要参数有以下几个。1.电流放大倍数 共射极电流放大倍数为，共基极电流放大倍数为。定义为集电极电流IC的变化量与发射极电流IE的变化量之比，即,(8.5),2.极间反向电流极间反向电流是表征三极管工作稳定性的参数。当环境温度增加时，极间反向电流会增大。(1)集电结反向饱和电流ICBO：指发射极开路时，集电极和基极之间的电流。室温下，小功率硅管的ICBO 一般小于1A，而锗管约为10 A。(2)穿透电流ICEO:指基极开路时，集电极和发射极之间的电流。因为ICEO=(1+)ICBO，所以ICEO比ICBO大得多，因、ICBO和 ICEO会随着温度的升高而变大，故在稳定性要求较高的电路中或环境温度变化较大的时候，应该选用受温度影响小的硅管。,3.极限参数极限参数是表征三极管能够安全工作的临界条件，也是选择管子的依据。(1)集电极最大允许电流ICM：指当集电极电流IC增大到一定程度，出现明显下降时的IC值。如果三极管在使用中出现集电极电流大于ICM，这时管子不一定会损坏，但它的性能将明显下降。(2)集电极最大允许功耗PCM：三极管工作时，应使集电极功率损耗UCEICPCM，若集电极功耗超过PCM，集电结的结温大大升高，严重时管子将被烧坏。,(3)反向击穿电压:U(BR)CEO为基极开路时，集电结不致击穿而允许加在集射极之间的最高电压；U(BR)CBO为发射极开路时，集电结不致击穿而允许加在集基极之间的最高电压；U(BR)EBO为集电极开路时，发射结不致击穿而允许加在射基极之间的最高电压。这些参数的大小关系为U(BR)CBOU(BR)CEOU(BR)EBO。根据以上三个极限参数ICM、PCM和U(BR)CEO可以确定三极管的安全工作区，如图8.6所示。,图8.6 三极管的安全工作区,8.2 基本放大电路分析,8.2.1基本放大电路的组成图8.7(a)所示为双电源供电的共射极放大电路，T是一个NPN型三极管，作用是放大电流；VCC是输出回路的电源，作用是为输出信号提供能量；RC是集电极负载电阻，作用是把电流的变化转换成电压的变化；基极电源VBB和基极偏置电阻RB的作用是为发射结提供正向偏置电压和合适的基极电流IB；C1、C2称为隔直电容，作用是隔直流、通交流信号。图8.7(b)为单电源供电的共射极放大电路，只要RBRC，单电源就可代替双电源的作用。,图 8.7 共射极基本放大电路(a)双电源供电共射极放大电路；(b)单电源供电共射极放大电路,8.2.2 静态工作点的估算静态工作点是指静态时，在晶体管的输出特性曲线上，由IB、IC和UCE组成的一个点，记为Q点,其坐标分别记为IBQ、ICQ和UCEQ，如图8.8所示。计算Q点坐标时可先画出放大电路的直流通路，即让C1、C2开路，如图8.9所示，然后列出输入和输出回路电压方程，即可估算出IBQ、ICQ和UCEQ。由图8.9知，基极回路电压方程为 VCC=RBIBQ+UCE,考虑管压降UCE很小,可以忽略，得到(8.6)集电极回路电压方程为,(8.7),(8.8),图 8.8 静态工作点,图8.9 共射极放大电路的直流通路,8.2.3放大电路的图解法分析1.静态分析静态分析的任务是确定Q点的IBQ、ICQ和UCEQ。方法是利用式(8.6)求出IBQ，然后在晶体管输出特性曲线上，作出与RC和VCC支路的电压方程UCE=VCC-ICRC所对应的直线，该电压方程称为直流负载线方程，对应的直线称为直流负载线。直流负载线与对应IBQ值的输出特性曲线的交点即为Q点。,具体做法是:选取两个特殊点,当UCE=0时，IC=VCC/RC，它对应于纵轴上的一个点（0，VCC/RC）；当IC=0时，UCE=VCC，它对应于横轴上的一个点（VCC，0）。连接这两点的直线即为直流负载线，其斜率为-1/RC，如图8.8所示。,2.动态分析放大器输入端加入信号时，电路的工作状态称为动态。动态分析的任务是分析放大器的动态工作情况，计算电压放大倍数。首先要画出放大电路的交流通路。交流通路的作法是将C1、C2短路，由于电源内阻较小可忽略，因而可将电源对地短路，如图8.10所示。,图8.10 放大电路的交流通路,1)动态工作情况放大器的动态工作情况如图8.11所示。,图 8.11 放大器的动态工作情况,图中文字符号的含义是：(1)小写的字母和小写的下角标，表示瞬时值，如ib、ic、ube、uce、uo等。(2)大写的字母和大写的下角标，表示直流量，如IB、IC、UBE、UCE等。(3)大写的字母和小写的下角标，表示交流量的有效值，如Ui、Uo等。(4)小写的字母和大写的下角标，表示交流量和直流量的叠加总量，如iB=IB+ib，iC=IC+ic，uCE=UCE+uce，uBE=UBE+ube。,1）电压放大倍数利用图8.11中的ui和uo幅值，可以求出电压放大倍数Au:(8.9)2）放大电路的非线性失真 截止失真和饱和失真时的波形如图8.12 和图8.13所示。,图 8.12 截止失真,图 8.13 饱和失真,3）放大电路的参数对静态工作点的影响 在共射极基本放大电路中，当VCC、RB、RC及发生变化时，Q点的位置也将随之改变。下面分别进行讨论。(1)在其它参数保持不变时，VCC升高，则直流负载线平行右移，Q点将移向右上方，此时交流负载线也将平行右移，放大电路的动态工作范围增大，但由于ICQ、UCEQ同时增大，使三极管的静态功耗变大，应防止工作点超出三极管安全工作区的范围。反之，若VCC减小，则Q点向左下方移动，管子更加安全，但动态工作范围将缩小，见图8.14(a)。,(2)其它参数不变，增大RB，直流负载线的位置不变，但因IBQ减小，故Q点沿直流负载线下移，靠近截止区，输出波形易产生截止失真。若RB减小，则Q点沿直流负载线上移，靠近饱和区，易产生饱和失真，见图8.14(b)。(3)其它参数不变，增大RC，直流负载线要比原来更平坦，因IBQ不变，故Q点将移近饱和区，使动态工作范围变小，易于发生饱和失真。若RC减小，直流负载线变陡，Q点右移，使UCEQ增大，管子的静态功耗也增大，见图8.14(c)。,(4)其它参数不变，增大，则三极管的输出特性曲线如虚线所示，此时直流负载线不变，IBQ不变，但由于同样的IBQ值对应的曲线升高，故Q点将沿着直流负载线上移，则ICQ增大，UCEQ减小，Q点靠近饱和区。若减小，则ICQ减小，Q点将沿直流负载线下移，见图8.14(d)。,图 8.14 放大电路的参数对静态工作点的影响,8.2.4 微变等效电路法1.简化的等效电路 所谓等效，就是替代前后电路的伏安关系不变。由于三极管输入、输出端的伏安关系可用其输入、输出特性曲线来表示，因此在输入特性放大区Q点附近，其特性曲线近似为一段直线，即iB与uBE成正比，如图8.15(a)所示。故三极管的B、E间可用一等效电阻rbe来代替。从输出特性看，在Q点附近的一个小范围内，可将各条输出特性曲线近似认为是水平的，而且相互之间平行等距，即集电极电流的变化量iC与集电极电压的变化量uCE无关，而仅取决于iB，即iC=iB，如图8.15(b)所示。故在三极管的C、E间可用一个线性的受控电流源来等效，其大小为iB。,图 8.15 输入和输出特性曲线的线性近似,三极管的等效电路如图8.16所示。由于该等效电路忽略了uCE对iB、iC的影响，因此又称为简化微变等效电路。,图 8.16 三极管等效电路,2.rbe的近似计算公式 rbe称为三极管的输入电阻，在中低频时,它的大小近似为 rbe=300+(1+)(8.10)3.Ri、Ro和 的计算 动态分析的目的是为了确定放大电路的输入电阻Ri、输出电阻Ro和电压放大倍数。其方法是：先画出交流通路，图8.7(b)的交流通路如图8.10所示；然后根据交流通路画出微变等效电路，图8.10所对应的微变等效电路如图8.17所示。由微变等效电路可求出Ri、Ro和。,图 8.17 微变等效电路,因为其中放大倍数,(8.11),式中的负号表示输出电压与输入电压反相。从式中可看出,提高电压放大倍数一种有效的办法是增大负载电阻RL。输入电阻输出电阻,(8.12),(8.13),例 8.1在图8.18所示的共射极基本放大电路中，已知=80，RB=282 k，RC=RL=1.5 k，VCC=12 V。试求Q点和、Ri、Ro的值。若Ui=10 mV，Uo为多少？,图 8.18 例8.1电路图,解 设UBEQ=0.7 V，则Q点的值为 由于 IEQ=ICQ+IBQ=3.2+0.04=3.24 mA,因此Ri=RBrbe=2820.950.95kRo=RC=1.5 k则,8.3 静态工作点的稳定与分压式偏置电路,图8.19显示了UBE的变化对Q点的影响。,图8.19 UBE对Q点的影响,1.电路 分压式偏置电路如图8.20所示。,图 8.20 分压式偏置电路,其工作原理如下：(1)利用基极电阻RB1、RB2分压来保持基极电位UB基本不变，设计时要使IB远小于I1，让I1 I2。即 当UB UBE时，有：(8.15)显然ICQIE是固定不变的，与晶体三极管的ICBO和无关。,(8.14),(2)利用RE形成电流负反馈，控制IC。当IC随着温度T的升高而增大时，利用RE形成电流负反馈，维持IC基本不变，其过程如下：T()ICIEUEUBE=(UB-UE)(因UB固定)IB IC故此电路也称为电流负反馈工作点稳定电路。(3)稳定条件：从稳定工作点的效果看，I1和UB应越大越好。但在实际应用中，它们要受到其它因素的限制。I1大，电路从电源吸取的功率也必然大，且要减小RB1和RB2，这将使输入电阻Ri减小；UB大，必然使UE增大，UCE就要减小，即最大输出电压幅度减小。通常可采用下列经验数据:,I1=(510)IB,UB=35 V(硅管)I1=(1020)IB，UB=13 V(锗管)利用这两组经验数据来选择电路参数，就可基本满足稳定静态工作点的要求。(4)CE的作用:如果没有电容CE，则RE不仅对直流有负反馈作用，而且对交流信号也有负反馈作用，这将使输出信号变小，电压放大倍数降低。为了消除RE上的交流压降，可并联上一个大的电容CE。其作用是对交流旁路，即对交流信号，CE被CE短路，使RE不对交流信号产生反馈，故称CE为射极交流旁路电容。,2.电路的分析计算1)静态分析 先画出直流通路，如图8.21所示。,图8.21 直流通路,设I1I2，I1 IBQ，则 一般情况下，,2)动态分析微变等效电路如图8.22所示。,图 8.22 微变等效电路,由微变等效电路知则电压放大倍数为,其中,(8.16),放大电路的输入电阻为放大电路的输出电阻为,例8.2在图8.20所示的放大电路中，已知VCC=12 V，=50，RB1=10 k，RB2=20 k，RE=RC=2 k,RL=4 k。求：（1）静态工作点Q。（2）电压放大倍数、输出电阻Ro、输入电阻Ri。解（1）由于,因此（2）由于,因此 Ri=RB1RB2rbe=201.110=0.95 kRo=RC=2 k,8.4 共集电极放大电路,8.4.1共集电极放大电路的组成图8.23所示为共集电极放大电路，图8.24所示为其直流通路，图8.25(a)所示为其交流通路。,图 8.23 共集电极放大电路,图8.24 共集极放大电路的=直流通路,8.4.2 共集电极放大电路的分析1.静态分析 共集电极放大电路的直流通路如图8.24所示。列出基极回路电压方程：IBQRB+UBEQ+IEQRE=VCCICQ=IBQUCEQ=VCC-IEQREVCC-ICQRE,2.动态分析 共集电极放大电路的交流通路和微变等效电路如图8.25(a)、(b)所示。,图 8.25 共集电极放大电路的交流通路和微变等效电路(a)交流通路；(b)微变等效电路,1)电压放大倍数令,(8.17),2)输入电阻Ri=rbe+(1+)RERB(8.18)3)输出电阻根据输出电阻的定义，通过较为复杂的分析计算（过程省略），可得到,(8.19),8.5 共基极基本放大电路,8.5.1 共基极放大电路的组成 图8.26(a)所示为共基极基本放大电路，图8.26(b)所示为其另一种画法。它的直流通路如图8.27所示，它的交流通路如图8.28(a)所示。从其交流通路知基极是输入回路和输出回路的公共端，故称为共基极放大电路。,图 8.26 基本共基极放大电路(a)共基极放大电路；(b)共基极放大电路的另一种画法,8.5.2 共基极放大电路的分析1.静态分析 共基极放大电路的直流通路如图8.27所示。,图8.27 共基极放大电路的直流通路,当IB相对于RB1和RB2分压回路中的电流可以忽略不计时,可证明由直流通路的发射极回路，得到UBEQ+IEQRE=UB则,由直流通路的集电极回路，得到UCEQ=VCC-ICQRC-IEQREVCC-ICQ(RC+RE)2.动态分析共基极放大电路的交流通路和微变等效电路如图8.28所示。,图 8.28 共基极放大电路的交流通路和微变等效电路(a)交流通路；(b)微变等效电路,1)电压放大倍数由微变等效电路可知,(8.21),2)输入电阻 3)输出电阻Ro=rceRC RC(8.23),(8.22),8.6 多级放大器,8.6.1 多级放大器的概念前面讨论的放大器均属于由一只三极管构成的单级放大器，其放大倍数一般为几十至几百。在实际应用中通常要求有更高的放大倍数，为此就需要把若干单级放大器级联组成多级放大器。多级放大器的一般结构如图8.29所示。,图 8.29 多级放大器的一般结构,通常称连接方式为耦合。多级放大器的耦合有：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式。1.阻容耦合 2.直接耦合 3.变压器耦合8.6.2 多级放大器的分析以图8.30所示的两级阻容耦合放大器为例，分析多级放大器的工作情况。,图8.30 两级阻容耦合放大器,1.静态工作分析 由于级间耦合电容的存在，因此各级静态工作点彼此独立，可单独设置和计算，其方法与8.2节相同。2.动态工作分析 动态分析的任务是求出多级放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。1)电压放大倍数图8.30所示的两级阻容耦合放大器的电压放大倍数为,由此可知，多级放大器的电压放大倍数为各级电压放大倍数之积，即 2)输入电阻图8.30所示电路的微变等效电路如图8.31所示。,(8.24),图 8.31 两级阻容耦合放大器的微变等效电路,从图8.31可知，多级放大器的输入电阻为第一级放大器的输入电阻Ri1，即Ri=Ri1=RB1rbe1(8.25)3)输出电阻从图8.31可知，多级放大器的输出电阻为末级的输出电阻Ro2,即Ro=Ro2=RC2(8.26),3 放大倍数的分贝表示法当放大器的级数较多时，放大倍数将非常大，甚至达几十万倍，这样一来，表示和计算都不方便。为了简便起见，常用一种对数单位分贝（dB）来表示放大倍数。用分贝表示的放大倍数称为“增益”。电压增益表示为电流增益表示为,(8.27),(8.28),功率增益表示为放大倍数用分贝表示后，可使放大倍数的相乘转化为相加。例如一个三级放大器，每级的电压放大倍数都为100，则总的电压放大倍数为Au=Au1Au2Au3=100100100=1106,(8.29),用分贝表示后，其增益为,8.7 场效应晶体管及其放大电路,8.7.1 结型场效应晶体管1.结构和电路符号 图8.32和图8.33分别是N沟道和P沟道JFET的结构示意图与符号。图8.32(a)是在一块N型半导体的两侧各制作一个高掺杂浓度的P区(用P+表示)，从而形成两个PN结。用导线将两个P+区连接在一起并引出一个电极作为栅极G。N区的上、下两端各引出一个电极，分别称为漏极D和源极S。中间的N区是载流子通过漏源两极的路径，称为导电沟道。因导电沟道是N型的，故称为N沟道JFET。若将管中的N区换成P区，P+区换成N+区，则形成P沟道JFET，如图8.33(a)所示。,图 8.32 N沟道结型场效应管,图8.33 P沟道结型场效应管(a)结构示意图；(b)符号,2.工作特点及特性曲线 现以N沟道JFET为例简要介绍其工作情况，P沟道JFET和N沟道的工作情况相同。场效应管正常工作时两个PN结应反偏。对N沟道JFET而言，栅极G接电源UGS的负极，漏极D接电源UDS的正极，如图8.34所示。,图8.34 N沟道场效应管的电路连接,1)输出特性曲线(又称漏极特性曲线)输出特性曲线是描述以uGS为参变量，iD与uDS(场效应管D、S极间的电压)之间关系的一簇曲线，即iD=f(uDS)|uGS=常数图8.35(a)所示为N沟道JFET的漏极特性曲线，可分为三个工作区。夹断区：指uGS uGS(off)的区域，此时沟道被夹断，iD 0。,2)转移特性曲线转移特性曲线是指以uDS为参变量，描述恒流区内iD随uGS变化关系的曲线，即 iD=f(uGS)|uDS常数该曲线可从输出特性曲线转化出来，故有转移之称，如图8.35(b)所示。在恒流区内，由于uDS对iD的影响很小，因此不同的uDS对应的转移特性曲线基本上是重合的。iD可近似地表示为(8.30),UGS(off)uGS0,图8.35 N沟道结型场效应管的特性曲线(a)输出特性曲线(b)转移特性曲线,8.7.2 绝缘栅场效应管1.N沟道增强型MOS管 1)结构和电路符号图8.36(a)是N沟道增强型MOS管的结构示意图，其符号如图8.36(b)所示。N沟道增强型MOS管是用一块低掺杂浓度的P型硅片作衬底(B)，在其上制作出两个高掺杂浓度的N+区并引出两个电极，分别称为源极S和漏极D。在P型硅片表面覆盖SiO2绝缘层，在漏源两极间的绝缘层上再制作一层金属铝，称为栅极G。衬底B通常与源极S相连。,图 8.36 N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构和符号,2)工作特点及特性曲线 工作时电路的连接方式如图8.37所示，在栅源极之间加正向电压uGS，用以形成导电沟道；在漏源极间加正向电压uDS，形成了漏极电流iD。在漏源电压uDS作用下，开始形成漏极电流iD的栅源电压uGS称为开启电压UGS(th)。uGS对iD起控制作用，uGS0，iD0；只有在uGSUGS(th)时，才能形成导电沟道，而且随着uGS的增大，iD也增大(故称为“增强型”MOS管)。,图8.37 增强型NMOS管的电路连接(a)结构示意图；(b)符号,图8.38(a)、(b)分别是N沟道增强型MOS管的漏极特性曲线和转移特性曲线。它的漏极特性曲线和JFET一样分为三个工作区。转移特性曲线可由输出特性曲线绘出，反映的是管子在恒流区时，uGS对iD的控制规律，其关系式是式中，IDO是uGS2UGS(th)时的iD值。,(8.31),图 8.38 N沟道增强型MOS管的特性曲线(a)漏极特性曲线；(b)转移特性曲线,P沟道增强型MOS管的符号和特性曲线如图8.39所示。,图8.39 P沟道增强型MOS管的符号和特性曲线,2.N沟道耗尽型MOS管 图8.40所示为N沟道耗尽型MOS管的结构和符号。其结构与增强型MOS管基本相同，只是在制造时已在SiO2绝缘层中掺入了大量的正离子，在其纵向电场作用下，即使uGS=0，也能建立N型导电沟道(即出现反型层)。,图 8.40 耗尽型NMOS管的结构和符号(a)结构图；(b)图形符号,由于在uGS0时已形成导电沟道，与结型场效应晶体管相比，同样具有耗尽型的特点，故称为“耗尽型”MOS管。它的特性曲线如图8.41所示。,图 8.41 耗尽型NMOS管的特性曲线(a)输出特性曲线；(b)转移特性曲线,P沟道耗尽型MOS管以N型硅片为衬底，制造时在SiO2绝缘层中掺入大量的负离子。其符号和特性曲线如图8.42所示。,图 8.42 P沟道耗尽型MOS管符号和特性曲线(a)符号；(b)特性曲线,8.7.3 场效应晶体管的主要参数1.直流参数(1)开启电压UGS(th):uDS为某一固定值时形成iD所需的最小|uGS|值。(2)夹断电压UGS(off):uDS为某一固定值时，使iD为某一微小电流值时所需的uDS值。一般|uGS(off)|=0.55 V。(3)饱和漏电流IDSS:uGS0时，管子出现预夹断时的漏极电流。一般IDSS=150 mA。(4)直流输入电阻RGS（DC）:栅源电压与栅极电流的比值。JFET一般大于107，MOS管的RGS（DC）一般大于109。,2 交流参数(1)低频跨导gm:表示场效应晶体管在恒流区工作时栅源电压对漏极电流的控制能力。其定义为：在uDS为某一固定值时，iD变化量与uGS变化量之间的比值，即gm的单位是西门子(S)，也可用mS。在转移特性曲线上，gm表示曲线上某点切线的斜率。,(2)极间电容:指场效应管的三个电极之间存在的电容，即栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS。其值在0.11 pF之间。极间电容越小，管子的工作频率越高。(3)输出电阻rDS:rDS值反映uDS对iD的影响程度，其定义为,(4)低频噪声系数NF：噪声是指由管子内部载流子的不规则运动而引起的，在没有输入信号时输出端出现的不规则电压或电流的变化。噪声所产生的影响用NF表示，单位为分贝(dB)。场效应管的NF一般为几分贝。3.极限参数(1)最大漏极电流IDM：管子在工作时所允许的最大漏极电流。(2)最大耗散功率PDM:决定管子温升的参数。如功率超过PDM，管子可能会因过热而损坏。,(3)漏源击穿电压U(BR)DS:在uDS增大的过程中，使iD急剧增加时的uDS值。使用时，uDS不允许超过此值，否则会烧坏管子。(4)栅源击穿电压U(BR)GS:对JFET是指栅极与沟道间PN结的反向击穿电压；对MOS管是指使绝缘层击穿的电压。击穿后将造成管子永久损坏。,8.7.4 场效应管放大电路 1 自给偏压偏置电路 图8.43是N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的自给偏压偏置电路。,图 8.43 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的自给偏压偏置电路,2 分压式偏置电路图8.44是分压式偏置电路，RG1和RG2为分压电阻。栅源电压为(8.32)式中VG为栅极电位。对N沟道耗尽型管，UGS为负值，RSIDVG；对N沟道增强型管，UGS为正值，RSID VG。,图 8.44 分压式偏置电路,对放大电路进行动态分析，主要是分析它的电压放大倍数和输入电阻与输出电阻。图8.45是分压式偏置放大电路的交流通路。,图8.45 分压式偏置放大电路的交流通路,放大电路的输入电阻为ri=RG1RG2rgsRG1RG2因为场效应管的输入电阻rgs比RG1或RG2都高得多，所以三者并联后可将rgs略去。通常在分压点和栅极之间接入一阻值较高的电阻RG，则 ri=RG+(RG1RG2)(8.33)RG的接入对电压放大倍数无影响；在静态时RG中无电流通过，因此不影响电路的静态工作点。,输出电阻为输出电压为式中,。电压放大倍数为,(8.34),(8.35),习题8,1.测得某放大电路中三极管A、B、C的对地电位分别为UA=-9V，UB=-6V，UC=-6.2 V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明是NPN管，还是PNP管。2.如何用一台欧姆表（模拟型）判断一只三极管的三个电极e、b、c?3.某放大电路中三极管三个电极A、B、C的电流如题图8.1所示。用万用表直流电流挡测得IA=-2 mA，IB=-0.04 mA，IC=+2.04 mA，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此管是NPN管还是PNP管，它的是多少?,题图 8.1,4.判别题图8.2所示电路对交流信号有无放大作用。若无放大作用，怎样改变才能放大交流信号?,题图 8.2,5.电路如题图8.3所示，设三极管的=80，UBE=0.6 V，ICEO和UCES可忽略不计。试分析当开关S分别接通1、2、3三个位置时，三极管分别工作在输出特性曲线的哪个区，并求出相应的集电极电流IC。,题图 8.3,6.测量出某硅三极管各电极的对地电压如下，试判别管子工作在什么区域？(1)UC=6 V，UB=0.7 V，UE=0 V；(2)UC=6 V，UB=2 V，UE=1.3 V；(3)UC=6 V，UB=6 V，UE=5.4 V；(4)UC=6 V，UB=4 V，UE=3.6 V；(5)UC=3.6 V，UB=4 V，UE=3.4 V。7.如题图8.4所示电路，三级管的UBE=0.7 V，=50，试估算静态工作点。,题图 8.4,8.放大电路如题图8.5所示，已知RB=400 k，RC=3 k，VCC=12 V，=50。（1）求静态工作点。（2）若想将IC调到2 mA，RB应取多大？（3）若想将UCE调到6 V，RC应取多大？（4）若RB短路，将会出现什么问题？（5）若RC开路，将会出现什么问题？,题图8.5,9.放大电路如题图8.6（a）所示，管子的特性曲线如题图8.6（b）所示。（1）作出直流负载线，确定Q点。（2）作出交流负载线，确定最大不失真输出电压的幅值Uom。,题图 8.6,10.放大电路如题图8.7所示，用示波器观察其输出波形如题图8.8所示，试判断它们分别产生了哪种非线性失真。如何采取措施消除这些失真？,题图 8.7,题图8.8,11.电路如题图8.9（a）所示，已知三极管的=100，UBE=-0.7 V。（1）试估算该电路的Q点；（2）画出简化微变等效电路；（3）求该电路的增益、输入电阻Ri、输出电阻Ro；（4）若uo中的交流成分出现8.9（b）所示的失真现象，则是截止失真还是饱和失真？为消除此失真，应调整电路中的哪些元件？如何调整？,题图 8.9,12.放大电路如题图8.10所示，已知=20，UBE=0.7 V（1）估算静态时的IC、UCE；（2）求、Ri、Ro；（3）若接入RL=8.7 k，则 等于多少?（4）若RL开路，则RS=1 k时，=uo/uS=？（5）当CE开路（RL开路）时，等于多少?,题图 8.10,13.如题图8.11所示的放大电路，若VCC=12 V，RB=400k，RC=5.1k，RE1=100，RE2=2k，RL=5.1 k，=50。（1）求Q；（2）画出微变等效电路；（3）求、Ri和Ro。,题图8.11,14.射极输出器如题图8.12所示，已知RB=300 k，RE=5.1 k，RL=2 k，RS=2 k，VCC=12 V，rbe=1.5 k，=49，画出微变等效电路，试用等效电路法估算、Ri和Ro。,题图 8.12,15.电路如题图8.13所示，RB1=RB2=150 k，RS=0.3 k，=49，UBE=0.7 V。（1）求Q；（2）画出微变等效电路；（3）求、Ri和Ro。,题图8.13,16.电路如题图8.14所示，求：（1）Q点；（2）,Ri、Ro。,题图8.14,