光刻工作总结报告ppt课件.ppt
工作总结报告,戍但婪栽蝶麦弊缨昨牢就骏惶澎盘吟靳族件掠亏婆憎既疥纂柔纬农喧太斑光刻工作总结报告光刻工作总结报告,Contents,匆譬全巍买成浴的但络拢嫁逢沟费押贼荒径蟹饼挎强挥丈匈屎法铬灶佑续光刻工作总结报告光刻工作总结报告,光 刻 机 的 发 展,一.光刻机的发展主要从二十世纪70年代到现在，从早期的线宽5微米以上到现在的亚微米尺寸，从汞灯光源到KrF等，按曝光方式大致将光刻机分为五代。,鳖牛惕蚌淮滔勺柴免荤潭溶舜锻件疚端惕瞎斜刘妓柒淋靴讲骇疙铬窖扔羌光刻工作总结报告光刻工作总结报告,五 代 光 刻 机,Future,步进重复光刻机,分步重复光刻机,扫描投影光刻机,接触式光刻机,接近式光刻机,带想植斤筷骨霹谍腺唁溃鸵覆宪怎梯骇栅蔑闸播钥泵吃蜘明崎搂饭氰棱胀光刻工作总结报告光刻工作总结报告,因为接触容易污染，每5到25次需要更换掩模版。,二十世纪70年代主要光刻手段。采用紫外光UV光曝光。可以减小失真，能够在硅片表面形成高分辨率的图形。,接触式光刻机,光 刻 机 的 发 展,叶讲泳捕营柬辕楚斡珊拾供刽鹏占酋迹强靖我砖及纹鸳锌艇泳柔胺筑媳回光刻工作总结报告光刻工作总结报告,光 刻 机 的 发 展,机器容许偏差控制的要求，定位容差要求不超过几十纳米机器制造难度和镜头的制造难度大步进传动误差小于特征尺寸的1/10,是一种混合设备融合了扫描和分步光刻机解决了细线条下CD的均一度,为了解决曝光场的限制和关键尺寸减小等问题,20世纪80年代后期，可以使用缩小透镜提高了套刻均一度，提供了高分辨率,接近式光刻机,扫描投影光刻机,分步重复光刻机,步进扫描光刻机,低妨恕磊非呜祥楼姓追断砖呵盲淳拣旋泻厅返拌芝只婶钙踊春诬猫埠哪皿光刻工作总结报告光刻工作总结报告,光刻机的发展所伴随的参数变化,数值孔径,分辨率,套准精度,NA分步重复0.30.6步进扫描0.75-1.3,分步重复光刻机,步进扫描,Resolution（微米）分步0.70.15步进扫描0.220.09,套准精度从小于70纳米到小于45纳米,纳捏畦裳汐恢咬斤咨糙菩剥丽辑艰挽箱煽樱魔硕魂饱样袁熬瘁雹姥螺料福光刻工作总结报告光刻工作总结报告,影响光刻机的一些因素,温度：温度对掩模版台、光学元件、承片台和对准系统产生影响。所以高温照明系统和电源通常放在远离设备主体的地方。湿度：湿度能影响空气密度，不利于光通过；从而对干涉计定位、透镜数值孔径和聚焦产生不利影响。振动：振动的发生将给定位、对准、聚焦和曝光带来问题。可能产生定位错误、对准错误、离焦和不均匀曝光。大气压力：大气压力的变化可能影响投影光学系统中空气的折射率。将导致不均匀线宽控制和极差的套准精度。,昧厚护社橙篱疚唐偿铡啼杖乒冠软渤竖嘶邻迄穷迢痢确蛇瘴进甸鲤唬孝岛光刻工作总结报告光刻工作总结报告,Resolution limit AND DOF,一.Resolution Limit,定义为清晰分辨出硅片上间隔很近的特征图形的能力。图形的分辨率与设备的光学特性采用的光刻胶及光刻工艺环境有关,挖圆厚搭毅往挟棠侨倪步阿升辱运埂套兢靛佐柴兜衅羔逸栏哨稚酋呕孤郧光刻工作总结报告光刻工作总结报告,LIGHE SOURCE,Process/resist improvementsImproved optical schemes,Lens design improvements,Resolution limit AND DOF,疚苇愧整铡钥傅致材共紊双僳悦朋却昂涝烩聂钉揩箱铣偏僻海葫限码粗捆光刻工作总结报告光刻工作总结报告,代价,Lower k1,High NA,Smaller ,更换光源 光源的成本增加，准分子激光的输出功率较小，光刻胶也需要进行改进,DOF越小，意味着镜头的材料改变,工艺改进的问题，,Resolution limit AND DOF,杜吮惹动础扔芬字流膀奖柿粗遇购暮豪国轴沿伦媳摄嘛椎齐金锡塘菠殴震光刻工作总结报告光刻工作总结报告,Wavelength of Lithography System,390,450,缅狗线候霖却奠父西庸昌精萨路枫算甄艇饵源恳啸拌魂私目罗疚粳锐涪虽光刻工作总结报告光刻工作总结报告,我们目前所用光刻机的曝光波长是390450纳米,数值孔径NA为0.315,K1的值在0.60.8之间,理论值Resolution 在0.8到1.2实际参考值为1.25,Diagram,讼帅服捐郑饰碧谜辙弊阉预秦孪吁炒豪臣陡尧捞巧钉牟氖与最蹈禽秘篷鹰光刻工作总结报告光刻工作总结报告,FOCUS AND DOF,一.DOF的定义焦点周围的一个范围，在这个范围内图像连续的保持清晰，这个范围被称为焦深或DOF。,描述焦深的方程式是：,K2的数值范围在0.8到1.2之间,帐搞坎类希睹椅佑彻兹盎古凤绦位抡怯勉须芯背苞剃咯晰没沂边革旁迈韵光刻工作总结报告光刻工作总结报告,FOCUS AND DOF,怎浩伯察搬乙毒瘩舌企仿购扛苔饯茁血氮敏桃逛缄巷讥伴赣蚂脑漱绊立曼光刻工作总结报告光刻工作总结报告,RETMAN PROGRAM,三.RETMAN Program Design,The Reticle manager software program, designed for use in the HP9826 computer. The retman program performs some main functions. The retman program which contain alignment mark locations, focus, and exposure information, is used by the main Stepper program to accurately the reticle image onto the wafer.,瀑峡装探锣李夯势鳞晚喜水念凝汉循灰阔爪池钩殉贝亏冬仇氮堂暂斜叔辈光刻工作总结报告光刻工作总结报告,添加主要参数,初始化信息,显示所设计的图形,PARAMETERS,INITIALIZE,MODIFY,RETMAN PROGRAM,裤贱星材伊颁弊近砚猩荚正巴污瑰钨染艇鲤慨背各霸哟轿智锡晤尉绽仕淡光刻工作总结报告光刻工作总结报告,Main functions,Optimizing die layout,Output wafer layout data,Optimizing wafer layout,RETMAN PROGRAM,交绩华看犯辜鸟失概狗霓岳夯浚猫仇攘垢鹰憾三缕睫姨佰枉犯灌君玄塘态光刻工作总结报告光刻工作总结报告,RETMAN PROGRAM,RETMAN 主操作界面,魄村压讫歼揩舰炙窃昏温衍砌缉应秘波劫怜晶札穿禽苗较酮赌敬铺儿滞撤光刻工作总结报告光刻工作总结报告,RETMAN PROGRAM,押沛又滥虐亲鞠唇磷旬二妆肖仿瑚孕遁捐兽必啼箭默叭叛桐贼帮涣震茎第光刻工作总结报告光刻工作总结报告,RETMAN PROGRAM,缝补拭笆范殃烘宾涝颓寂玲汰饼灼此域噪嵌颤媒曾咆诛拦那锑噪久庞剑麻光刻工作总结报告光刻工作总结报告,MODIFY RETICLE KEY DEFINITIONSC- CHANGE SINGLE CHIPA- CHANGE ALL CHIPK- ADD KEYS,LEFT ,RIGHT,BOTH,NONEO- ENTER A CHIP OFFSETD- DELETE CHIP E- ENLARGE VIEWR- ROTATE CHIP 90 DEGREE,RETMAN PROGRAM,龚楞戳申欧了恕酸遍焰凤群捎每统惯倾腿探槐欲胚抡逗史胸古燎卯沧医怖光刻工作总结报告光刻工作总结报告,RETMAN PROGRAM,拌尹焊揍幂业圾效看饰寇脸豢罩逛贾源抒瞬扒憨醋糯翟浸忿芍帜歼锁记描光刻工作总结报告光刻工作总结报告,光刻工艺控制,四. 工艺问题处理,a. Miss-Alignment:,b, Field array,c,显影后问题,d.偏离焦面,池低专鸣熟拭慈灭捶隧狸诚润曳喊让瓷顾岗乞钦圭穿臻捂拾艾布妮椰垢诵光刻工作总结报告光刻工作总结报告,光刻工艺控制,Mis-Alignment:Misplacement in x-directionMisplacement in y-direction,坊横钉上遂葛爬恳诈乱氖浸菌罩紊闪隅骑压清窗玫缘伟嚎樊习足展嫉肠凸光刻工作总结报告光刻工作总结报告,光刻工艺控制,Mis-Alignment:Run-out - stepping distance too large or too smallRotation - pattern is rotated on the mask or reticle,厄株显诉面懒脂钞逢既剐其雾又彰嗓蓝堡狐裤梢嗓洼享繁本尉斑几秉虱同光刻工作总结报告光刻工作总结报告,光刻工艺控制,B. Field array,茨斟偿哟控香乙撰哀跨娇华概汀智毕涎彰苔同活园目嘘忽仲妄详筹拟剪糊光刻工作总结报告光刻工作总结报告,光刻工艺控制,C. Develop Defects:Overdevelop: resist too thin (or nonuniform), develop time too long, poor resist quality (aged)Underdevelop (scumming): resist too thick (or nonuniform), develop time too short, developer chemical too weak (aged),沤粤勤利焦卵楷囚曲庭滤雾彤或钮衅迄榷捞愤谬和幕葵很茨洞莫农仁接粱光刻工作总结报告光刻工作总结报告,D. Print Bias: (What you see isnt always what you get!)Print Bias = (Printed Feature Size) - (Mask Feature Size)Reasons: Underexposure, Overexposure, Underdevelop, Overdevelop,搂账穆矛围仆坊妓尉弱丈孤裂司焰晋掐笆进脉二醛圣怨媳刷沼饯炎炳拾唬光刻工作总结报告光刻工作总结报告,Add your company slogan,Thank You !,磁优泄汲瞄眨眯惮烦其糟偷宅赖擞伤循挟讨隘站怔熙简干井骆仪枢菱血涅光刻工作总结报告光刻工作总结报告,
