两级CMOS运算放大器设计ppt课件.ppt

1,Analog and Mix-Signal Integrated Circuit Design-两级CMOS运算放大器设计,西安电子科技大学微电子学院刘帘曦,西安电子科技大学,2,一、运放的概念、组成与电路结构,西安电子科技大学,运算放大器（简称运放）是模拟电路和混合信号电路中最主要的电路模块之一。将运算放大器配以各种辅助电路，则可以实现对输入信号的放大、微分、积分、求积、对数等运算功能；理论上说，运放的差模电压增益为无限大，输入阻抗也是无限大，输出阻抗为零，但实际的运放的性能只能接近这些值 ；运放作为一种有足够正向增益的放大器，当加上负反馈时，其闭环转移函数与运放增益无关 ；,3,CMOS运算放大器的基本分类,西安电子科技大学,两级CMOS运算放大器套筒式共源共栅CMOS运算放大器（单级）折叠共源共栅CMOS运算放大器（单级）Rail-to-Rail CMOS运算放大器Chopper CMOS运算放大器,4,两级CMOS运算放大器设计,一、两级运放的概念、组成与电路结构二、两级运放的频率补偿三、两级运放的一般设计方法四、两级运放的仿真和测试五、两级运放的版图设计,西安电子科技大学,5,两级CMOS运算放大器的提出,西安电子科技大学,差分放大器可以称为一级运算放大器，其电路的增益由输入对管的跨导与输出阻抗的乘积来决定，因而一般都无法达到高的增益 ；共源共栅结构虽然在一定程度上提高了电路增益，但是却限制了电路的输出摆幅 ；提出两级放大器的结构。,6,CMOS两级运算放大器的基本特性（性能指标）,直流开环增益（DC Open-Loop Gain） 70dB单位增益带宽（Unit-Gain Bandwidth） 5MHz相位裕度（Phase Margin） 4560dB共模抑制比（CMRR） 60dB输出电压摆幅（Output Voltage Swing） 1.5V（Rail-to-Rail：03.3V）芯片面积（Silicon Die Area）,西安电子科技大学,7,两级CMOS运算放大器的基本结构,西安电子科技大学,M1和M2的宽长比相等，M3和M4的宽长比相等; 两级运放的电路具有两个高阻节点A和B，这就是说电路存在两个主极点，因而降低了运放的相位裕度;为了使运放稳定工作，通常在两级运放的第一级和第二级之间中加入补偿电容，即在A点和B点之间加入补偿电容Cc（Miller电容），通过补偿电容的反馈作用，把两个极点拉开。,（a） 无补偿运放 （b）有补偿运放,8,密勒定理,西安电子科技大学,式中， ，是所关心频率下的小信号增益，通常为简化计算，我们一般用低频增益来代替AV，这样足可以使我们深入理解电路的频率特性。,（a） （b）,9,二、两级运放的频率补偿,西安电子科技大学,运放一般用在负反馈结构中，在此结构中，相当高而又不确定的开环增益和反馈一起作用，可以获得一个很准确的转移函数，它是含有反馈参数的函数 下图表示了一种通用的负反馈结构，图中A是放大器增益，通常是运放的开环差分电压增益，F是从运放的输出通过负反馈，回到输入的转移函数如果直流开环增益A(0)在1000到2000之间，而F(0)1，则前向增益在0.999到0.9995之间变化。如果回路增益很高，则可用反馈网络来精确控制前向转移函数。这就是运放的应用原理。,反馈系统,10,两级CMOS运放的稳定性分析,西安电子科技大学,反馈信号必须满足一定的相位和幅值条件，以避免信号产生再生现象，即满足下式：（如果出现了再生，就可能使运放产生振荡 ）,其中0定义为：,上述条件也等价为：,其中0定义为：,11,波特图,西安电子科技大学,1、幅频曲线中，每经过一个极点P(零点Z)，曲线斜率以-20dB/dec (+20dB/dec )变化。2、相频曲线中，相位在0.1P(0.1Z)处开始变化，每经过一个极点P(零点Z)，相位变化-45 (45)，相位在10P(10Z)处变化-90 (90)3、一般来讲，极点 (零点)对相位的影响比对幅频的影响要大一些。,12,两级CMOS运放的稳定性分析,西安电子科技大学,也就是说，稳定性是由单位开环增益的相位值决定的，即由相位裕度决定。所以系统稳定性的重要体现就是运放的相位裕度较大，一般运放的相位裕度要求在60o左右。,13,无补偿两级运放的小信号模型,西安电子科技大学,无补偿运放的二阶模型，为使结果通用，用角标I表示第一级的元件，角标II代表第二级的元件;,其中R（R）是从运放的第一（二）级的输出端“看到的”与地之间的电阻，C（C）是从运放地第一（二）级的输出端“看到的”与地之间的电容。,传输函数 ：,两个极点的位置：,14,有补偿两级运放的小信号模型,西安电子科技大学,一般情况下，两个极点相距比较近，使运放的相位裕度小于45，从而导致运放工作不稳定，因此在应用中必须进行补偿。,补偿电容CC的作用是削弱主极点的影响而扩大运放的频宽，由于补偿电容CC的引入，运放的传输函数变为,两个极点变为,15,补偿电容CC对两级运放的极点零点的影响,西安电子科技大学,补偿电容CC在右半平面（RHP）引入了一个零点Z,若CC，且CC C,16,三、两级运放的设计方法,第一步根据用途和要求选择和确定运放的基本结构，做出一个描述全部晶体管互连的图。一般情况下，结构在整个设计过程中是保持不变，但有时需要调整一下结构来改变某些方面的特性。 一旦结构选好之后，就必须确定电路的直流电流，然后开始计算晶体管和补偿元件的大小，大部分工作是在第二步完成的，所作的工作是仔细计算器件的尺寸以满足设计的交流和直流要求。在设计之前需要考虑以下几个方面的条件：（1）工艺要求（VT，K，Cox等）；（2）电源电压、电流及其范围；（3）工作温度和范围；设计运算放大器时主要的一些参数如下：（1）直流开环增益AV；（2）增益带宽GB；（3）建立时间Tset；（4）转换速率SR；（5）共模输入范围CMR；（6）共模抑止比CMRR；（7）电源抑制止比PSRR；（8）输出电压摆幅；（9） 失调及噪声,西安电子科技大学,17,三、两级运放的设计方法,西安电子科技大学,设计运放之前需要确定的电学参数(可选)：,18,两级CMOS运算放大器的一些重要公式,西安电子科技大学,19,两级CMOS运算放大器的设计步骤（1）,设计步骤从选定电路中所用MOS器件的长度入手，此长度决定了沟道长度调制参数，这是计算增益必不可少的参数。选定了标准MOS晶体管器件长度后，下一步是确定最小补偿电容CC，配置一个比GB高2.2倍的负载极点P2可得到60度的相位裕度，即极点和零点的位置要求CC的最小值为(设Z10GB),西安电子科技大学,下一步，根据转换速率的要求计算最小尾电流I5，即,如果没有给定转换速率SR，则可以按建立时间TSET的要求来选值选一个约比建立时间快10倍的值，并设输出摆幅约为电源的一半，如此求得的I5以后还可根据要求进行修正。,20,两级CMOS运算放大器的设计步骤（2）,西安电子科技大学,用共模电压范围（高电平）来确定M3的宽长比，即,如果(W/L)3的值小于1，就必须增加此值并使W和L乘积最小，这是为了减小了栅区的面积，也减小了栅电容。此电容会影响极点零点对，使相位裕度减小一点。,从CC和GB的表达式来确定输入晶体管的跨导，可以用下面方程来计算跨导gm2,从而可直接求得输入晶体管M2的宽长比,21,两级CMOS运算放大器的设计步骤（3）,西安电子科技大学,下面利用共模电压范围（低电平）计算M5的饱和电压：,若VDS5100mV，则可能会使(W/L)5过大，这是不可接受的。若VDS50V，则说明所确定的共模范围CMR的技术规范太严了。为此，我们可以减小I5或增加(W/L)1。注意，应考虑条件改变后对前面设计步骤的影呐。这样反复迭代，直到获得满意的结果。由求得的VDS5及(W/L)5为,要得到60度的相位裕度，应假设负载极点位于GB的2.2倍处。由此及p2关系式，可求出跨导gm6：,22,两级CMOS运算放大器的设计步骤（4）,西安电子科技大学,计算I6：,要根据输出电压范围来调整S6，保证M6饱和。,23,两级CMOS运算放大器的设计步骤（5）,西安电子科技大学,最后检查运放的总增益和运放功耗：,如果增益太低，许多参数还可再做调整。,运放平衡时有：I5=I6=I7，因此可得：,24,运放的性能与器件、电流之间的关系,西安电子科技大学,在完成以上计算和设计后，可以采用Spice仿真软件进行仿真验证。,25,四、两级运放的仿真和测试,西安电子科技大学,仿真是对设计的细化和验证，对精度的提高，对性能的优化，是一个主次逼近理想值的过程。目前模拟信号的仿真工具是Hspice和Spectre，仿真方法主要是瞬态仿真、直流扫描和交流扫描；瞬态仿真（TRAN）：时间与电路参数的关系直流仿真（DC）：直流分量与电路参数的关系交流仿真（AC）：频率与电路参数的关系,26,四、两级运放的仿真包含内容,西安电子科技大学,对运放的仿真主要包含以下方面的内容：开环增益和相位裕度（AV &PM）共模输入电压范围（VIC）失调电压（VOS）转换速率（压摆率SR）和建立时间（TSET）共模抑制比和电源抑制比（CMRR&PSRR）,27,开环增益和相位裕度的仿真（AC分析）,西安电子科技大学,28,共模输入电压的仿真和测试（DC分析）,西安电子科技大学,对输入信号在0Vdd范围内进行DC分析，测试输出电压能够跟随输入电压的的范围，即为运放的共模输入范围，这种方法是建立在输出摆幅不影响输入范围的基础之上的。,29,系统输出失调电压的仿真和测试（DC分析）,西安电子科技大学,定义：实际运放中，当输入信号为零时，由于输入级的差分对不匹配及电路本身的偏差，使得输出不为零，而为一 较小值 ，该值为输出失调电压。,30,SR和TSET、VOS的仿真和测试（TRAN分析）,西安电子科技大学,31,PSRR和CMRR的静态仿真和测量（书）,32,PSRR的仿真和测量（AC仿真）,当双电源供电时，电路的参考点电位一般是零电位点（GND），此时应分别给出正、负电源Vdd和Vss的PSRR；而对单电源供电情况，电路的参考点电位一般是GND，此时只要给出电源电压的PSRR即可。正电源电压用PSRR+，负电源电压用PSRR表示。,33,CMRR的仿真和测量（AC仿真）,定义：CMRR即为差模电压增益与共模电压增益之比，并用对数表示。CMRR = 20log(Aid / Acm)CMRR越大，则运放的对称性越好。Vi取 幅度为1V且偏置于Vcom上的交流电压源。R可取20K(或其它合适值)。对电路进行AC分析，观察Vo点波形。1/Vo即为CMRR值。直接测试Vo，给出的实际上是CMRR的倒数。,34,CMRR的仿真和测量（Cadence的计算器）,35,五、两级运放的版图设计,西安电子科技大学,36,两级CMOS运算放大器电路举例(1),西安电子科技大学,37,两级CMOS运算放大器电路举例(2),西安电子科技大学,38,Thanks！,西安电子科技大学,